Operation Manual
Élément Description
Caractéristiques de performances
Processeur Texas Instruments OMAP 4430 à 1 GHz.
Système d'exploitation ASOP 4.1.1 Android
Mémoire 1 Go de RAM, mémoire Flash 4 Go plus microSD 4 Go ; logement pour carte mi-
croSD accessible par l'utilisateur (prend en charge jusqu'à 32 Go).
Puissance de sortie (USB)
Connecteur de raccordement : 5 VCC à 500 mA max.
Module d'extension : 5 VCC à 500 mA max.
Environnement utilisateur
Température de fonctionne-
ment
0 °C à 50 °C
Température de stockage -40 °C à 70 °C
Température de chargement 0 °C à 40 °C
Humidité Humidité relative de 10 % à 95 % sans condensation
Résistance aux chutes Chutes répétées d'une hauteur de 1,2 m, conforme aux spécifications MIL-
STD 810G
Décharge électrostatique
(ESD)
Résiste aux décharges de +/-15 kV CC dans l'air, aux décharges directes de +/-8 kV
CC et aux décharges indirectes de +/-8 kV CC
Étanchéité IP54
Communications de données par réseau LAN sans fil
Radio WLAN (réseau local
sans fil)
IEEE
®
802.11a/b/g/n avec antenne interne.
Débits pris en charge 1, 2, 5,5, 6, 9, 11, 12, 18, 24, 36, 48 et 54 Mbits/s Notez que le débit de 802.11n
peut être plus élevé.
Canaux de fonctionnement Canaux 36 à 165 (5 180 à 5 825 MHz), canaux 1 à 13 (2 412 à 2 472 MHz) ; les
canaux et fréquences réels dépendent de la règlementation en vigueur et de l'agence
de certification.
Sécurité
Modes de sécurité : hérité, WPA et WPA2
Cryptage
: WEP (40 et 128 bits), TKIP et AES
Authentification : TLS, LEAP, EAP-FAST (MS-CHAP v2), EAP-FAST (GTC),
EAP-PEAP (MSCHAP v2), EAP-PEAP (GTC), EAP-TTLS (PAP), EAP-TTLS
(MSCHAP) et EAP-TTLS (MSCHAP v2).
Technique de dispersion Modulation à spectre étalé à séquence directe (DSSS) et multiplexage par réparti-
tion orthogonale de la fréquence (OFDM).
Communications voix et données PAN sans fil
Bluetooth Classe II, v 2.1 avec EDR ; antenne intégrée.
Tableau (suite)...
98 | Spécifications techniques
Février 2015 | MN000022A02FR-A