User manual
m) Junction FETS sind konventionelle
Feldeffekttransistoren
Die Spannung, die an den Gate-Quellenklemmen anliegt, steuert
den Strom zwischen den Drain- und Source-Klemmen. N-Kanal
Jfets benötigen eine negative Spannung an ihrem Gate in Bezug
auf ihre Quelle, je negativer die Spannung ist, desto weniger Strom
kannzwischendemDrainundderSourceießen.
Im Gegensatz zu den Depletion Mode
Mosfets haben Jfets keine Isolations
-
schicht auf dem Gate. Das bedeutet,
dass der Eingangswiderstand zwischen
Gate und Source zwar normalerweise
sehr hoch ist, aber der Gatestrom anstei-
gen kann, wenn die Halbleiterverbindung
zwischen Gate und Source oder zwi-
schen Gate und Drain vorwärts gerich-
tet wird. Dies kann passieren, wenn die
Gatespannung um ca. 0,6 V höher wird
als die Drain- oder Source-Anschlüsse für
N-Channel-Geräte oder 0,6 V niedriger
als die Drain- oder Source-Anschlüsse für
P-Channel-Geräte.
Die interne Struktur von Jfets ist im We-
sentlichen symmetrisch um den Gate-Ter-
minal herum, d. h. die Drain- und Source-
Anschlüsse sind für den Tester nicht
unterscheidbar. Der JFET-Typ und die
Gate-Klemmewerdenjedochidentiziert.
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