Datasheet

2002-01-04

PRODUKTINFORMATION

Vi reserverar oss mot fel samt förbehåller oss rätten till ändringar utan föregående meddelande

ELFA artikelnr

75-351-80 SFH610A-3 Optokopplare

75-351-98 SFH610A-4 Optokopplare

75-352-06 SFH617A-2 Optokopplare

75-352-14 SFH617A-3 Optokopplare

PAGE 1
2002-01-04 PRODUKTINFORMATION Vi reserverar oss mot fel samt förbehåller oss rätten till ändringar utan föregående meddelande ELFA artikelnr 75-351-80 SFH610A-3 Optokopplare 75-351-98 SFH610A-4 Optokopplare 75-352-06 SFH617A-2 Optokopplare 75-352-14 SFH617A-3 Optokopplare
PAGE 2
SFH610A/617A 5.
PAGE 3
Characteristics (TA=25°C) Description Symbol Unit Condition Emitter (IR GaAs) Forward Voltage VF 1.25 (≤1.65) V IF=60 mA Reverse Current IR 0.01 (≤10) µA VR=6.0 V Capacitance C0 13 pF VR=0 V, f=1.0 MHz Thermal Resistance RthJA 750 K/W Capacitance CCE 5.2 pF Thermal Resistance RthJA 500 K/W Collector-Emitter Saturation Voltage VCEsat 0.25 (≤0.4) V Coupling Capacitance CC 0.4 pF Detector (Si Phototransistor) VCE=5 V, f=1.0 MHz Package IF=10 mA, IC=2.
PAGE 4
Figure 3. Current Transfer Ratio (typ.) vs. Temperature IF=10 mA, VCC=5.0 V Figure 6. Transistor capacitance (typ.) vs. collector-emitter voltage TA=25°C, f=1.0 MHz Figure 9. Permissible Diode Forward Current vs. Ambient Temperature 20 pF C 15 10 5 CCE 0 10-2 10-1 10-0 101 V Ve 102 Figure 4. Output Characteristics (typ.) Collector Current vs. Collector-emitter Voltage TA=25°C Figure 7. Permissible Pulse Handling Capability. Forward Current vs.