Datasheet

2000 May 25 4
Philips Semiconductors Product specification
Schottky barrier diode BAS85
GRAPHICAL DATA
Fig.2 Derating curve.
handbook, halfpage
0
50
100
150
200
250
0 50 100 150
I
F(AV)
(mA)
T ( C)
amb
o
MRA540
handbook, halfpage
1.20.80.40
V
F
(V)
I
F
(mA)
10
3
10
2
10
1
10
−1
MLD358
(1) (2) (3)
(1) (2) (3)
Fig.3 Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
(1) T
amb
= 125 °C.
(2) T
amb
=85°C.
(3) T
amb
=25°C.
Fig.4 Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values.
handbook, halfpage
10
(nA)
I
R
5
10
4
10
3
10
2
10
10
1
−1
3020
V
R
(V)
100
MGC682
(1)
(2)
(3)
(1) T
amb
=85°C.
(2) T
amb
=25°C.
(3) T
amb
= −40 °C.
Fig.5 Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
f = 1 MHz.
handbook, halfpage
01020
V
R
(V)
30
12
(pF)
C
d
0
4
8
MGC681