Datasheet
i
BC556..
. BC560
PNP-Silizium-Epitaxie-Planar-Transistoren
für Verstärkeranwendungen im NF-Bereich und als Schalter.
Die Transistoren werden nach der Stromverstärkung in die drei
Gruppen A, B und C eingeteilt. Die Typen BC556 und BC557
sind in den Gruppen A und B, die Typen BC558, BC559 und
BC560 sind in allen drei Gruppen lieferbar. Die Typen BC559
und BC560 sind rauscharm. Ais Komplementär-Transistoren
werden die NPN-Typen BC546. BC550 empfohlen.
2,s
Kunststoffgehäuse 10 C 3
nach DIN 41868
(==
TO-92)
kompatibel mit TO-18
Gehäuse ist lichtundurchlässig
Gewicht ca.
0,18
g
Maße in mm
Grenzwerte
Symbol
Wert
Einheit
Kollektor-Basis-Spannung
BC556
-uCBO
80
V
BC557, BC560
-ucso
50
V
BC558,
BC559
-uCBO
30
V
Kollektor-Emitter-Spannung
BC556
-UCES
80
V
BC557, BC560
-UCES
50
V
BC558,
BC559
-UCES
30
V
Kollektor-Emitter-Spannung
BC556
-UCEO
65
V
BC557, BC560
-UCEO
45
V
BC558, BC559
-UCEO
30
V
Emitter-Basis-Spannung
-he0
5
V
Kollektorstrom
-lC
100
mA
Kollektor-Spitzenstrom
--(CM
200 mA
Basis-Spitzenstrom
-IBM
200
mA
Emitter-Spitzenstrom
-IEM
200
mA
Verlustleistung bei
Tu
= 25
“C
P
tot
500”
mW
Sperrschichttemperatur
Tj
150
“C
Lagerungstemperaturbereich
Ts
-65 .
..+150
“C
‘)
Dieser Wert g
ilt, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden.
142