Data Sheet

S125K, S250K
Characteristics Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
T
j
= 25°C I
F
= 1 A V
F
< 0.95 V
1
)
Maximum reverse current
Maximaler Sperrstrom
T
j
= 25°C
S125K
S250K
V
WM
= 190 V
V
WM
= 380 V
I
D
< 5 µA
1
)
Breakdown voltage
Abbruch-Spannung
S125K
S250K
I
T
= 1 mA
2
) V
BR
> 210 V
1
)
> 400 V
1
)
Reverse recovery time
Sperrverzug
I
F
= 0.5 A through/über
I
R
= 1 A to I
R
= 0.25 A
t
rr
typ. 1500 ns
1
)
Typical junction capacitance
Typische Sperrschichtkapazität
V
R
= 4 V C
j
10 pF
1
)
Thermal resistance junction to ambient (per device)
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung (pro Bauteil)
R
thA
< 60 K/W
4
)
Thermal resistance junction to terminal (per device)
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss (pro Bauteil)
R
thT
< 20 K/W
Type
Typ
Recomm. protective resistance
Empf. Schutzwiderstand
R
t
[Ω]
3
)
Admiss. load capacitor at R
t
Zul. Ladekondensator mit R
t
C
L
[µF]
4
)
S125K 3.8 1300
S250K 7.6 650
1 Valid per diode – Gültig pro Diode
2 Non-repetitive pulse – Einmaliger Impuls
3 R
t
= V
WM
/ I
FSM
R
t
is the equivalent resistance of any protective element which ensures that I
FSM
is not exceeded
R
t
ist der Ersatzwiderstand eines jeglichen Schutzelementes, welches ein Überschreiten von I
FSM
verhindert
4 C
L
= 5 ms / R
t
If the R
t
C
L
time constant is less than a quarter of the 50Hz mains period, C
L
can be charged completely in a
single half wave of the mains. Hence, I
FSM
occurs as a single pulse only!
Falls die R
t
C
L
Zeitkonstante kleiner ist als ¼ der 50Hz-Netzperiode, kann C
L
innerhalb einer einzigen
Netzhalbwelle komplett geladen werden. I
FSM
tritt dann nur als Einzelpuls auf!
2
Rated forward current versus ambient temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.
I
FAV
[%]
120
100
80
60
40
20
0
[°C]
T
A
150100
50
0
10
10
1
10
10
2
-1
-2
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
0.4
V
F
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
T = 25°C
j
T = 125°C
j
40a-(0.8a-0.95v)
R
t
3)
C
L
4)
~
~
+
_