Data Sheet

FT2000AA ... FT2000KG
FT2000AA ... FT2000KG
Superfast Silicon Rectifiers – Single Diode / Two Polarities
Superschnelle Silizium-Gleichrichter – Einzeldiode / Zwei Polaritäten
Version 2013-05-07
Dimensions - Maße [mm]
Nominal current
Nennstrom
20 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...400 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
TO-220AC
Weight approx.
Gewicht ca.
1.8 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging in tubes
Standard Lieferform in Stangen
Maximum ratings and Characteristics Grenz- und Kennwerte
Type / Typ
Polarity / Polarität
Repet. peak reverse voltage
Period. Spitzensperrspanng.
V
RRM
[V]
Surge peak reverse volt.
Stoßspitzensperrspanng.
V
RSM
[V]
Forward voltage
Durchlass-Spannung
V
F
[V]
1
)
K
(Standard)
A
(Reverse)
I
F
= 5 A I
F
= 20 A
FT2000KA FT2000AA 50 50 < 0.84 < 0.96
FT2000KB FT2000AB 100 100 < 0.84 < 0.96
FT2000KC FT2000AC 150 150 < 0.84 < 0.96
FT2000KD FT2000AD 200 200 < 0.84 < 0.96
FT2000KG FT2000AG 400 400 < 0.84 < 0.96
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
T
C
= 100°C I
FAV
20 A
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz I
FRM
70 A
2
)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
T
A
= 25°C I
FSM
350/385 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
T
A
= 25°C i
2
t 612 A
2
s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
T
j
T
j
-50...+150°C
+200°C
Storage temperature – Lagerungstemperatur T
S
-50...+175°C
1 T
j
= 25°C
2 Max. temperature of the case T
C
= 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses T
C
= 100°C
1
4
31
4
31
A
K
4
31
Type
Typ
5.08
±0.1
0.8
±0.2
1.3
±0.1
10.1
±0.3
3.9
±0.3
2.8
±0.3
13.9
±0.3
14.9
±0.7
Ø
±0.2
3.8
1.2
±0.2
0.42
±0.1
4.5
±0.2
2.67
±0.2
8.7
±0.3