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vi
Figures
1–1 Typical LDO Application 1-2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1–2 SLVP125 EVM Universal LDO Tester Schematic Diagram 1-4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1–3 Top Layer 1-8. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1–4 Bottom Layer (top view) 1-8. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1–5 Assembly Drawing (top assembly) 1-9. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2–1 Location of Adjustment Parts 2-3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2–2 Test Setup 2-4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3–1 Programming the TPS76x01/TPS77001 3-2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3–2 Resistor Values 3-3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3–3 Calculated and Measured Maximum Output Current vs Input Voltage
Without Cooling for TPS76933 in Test Setup 3-7. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3–4 ESR and ESL 3-7. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3–5 LDO Output Stage With Parasitic Resistances ESR and ESL 3-8. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3–6 Correlation of Different ESRs and Their Influence to the Regulation of V
out
at a
Load Step From Low to High Output Current 3-9. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4–1 Rise Time of Function Generator at Gate of MOSFET Q1 (high speed) 4-2. . . . . . . . . . . . . . .
4–2 Rise Time of Function Generator at Gate of MOSFET Q1 (low speed) 4-2. . . . . . . . . . . . . . .
4–3 Transient at Input (Ch1); 4.3 V Input, 3.3 V Output (Ch2) at 100 mA Load,
C
out
= 10 mF 4-3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4–4 Delay Time EN → Output High 4-3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4–5 Full Load (100 mA) – No Load Transition, ∆V
out
, Whole Period 4-4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4–6 Full Load (100 mA) – No Load Transition With C
out
= 10 µF Electrolytic 4-4. . . . . . . . . . . . . .
4–7 No Load – Full Load (100 mA) Transition With C
out
= 10 µF Electrolytic 4-5. . . . . . . . . . . . . .
Tables
1–1 Summary of LDO Families and Their Features 1-3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1–2 SLVP125 EVM Bill of Materials 1-6. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2–1 Jumper Functions 2-2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2–2 Trimmer Adjustments 2-2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2–3 Timing Equations 2-3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3–1 Exact Resistor Values 3-3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3–2 E96 Resistor Series 3-5. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .