Datasheet

DocID7502 Rev 4 9/36
TSH7x Electrical characteristics
36
Table 5. V
CC
+
= 5 V, V
CC
-
= -5V, V
IC
= GND, T
amb
= 25 °C (unless otherwise specified)
Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit
|V
io
| Input offset voltage
T
amb
= 25 °C
T
min.
< T
amb
< T
max.
0.8 10
12
mV
ΔV
io
Input offset voltage drift vs. temp. T
min.
< T
amb
< T
max.
2 μV/°C
I
io
Input offset current
T
amb
= 25°C
T
min.
< T
amb
< T
max.
0.1 3.5
5
μA
I
ib
Input bias current
T
amb
= 25°C
T
min.
< T
amb
< T
max.
615
20
C
in
Input capacitance 0.7 pF
I
CC
Supply current per operator
T
amb
= 25°C
T
min.
< T
amb
< T
max.
9.8 12.3
13.4
mA
CMRR
Common mode rejection ratio
(δV
IC
/δVio)
-4.9 < V
IC
< 3.9 V and V
out
= GND
T
amb
= 25 °C
T
min.
< T
amb
< T
max.
81
80
106
dB
SVRR
Supply voltage rejection ratio
(δV
CC
/δVio)
T
amb
= 25 °C
T
min.
< T
amb
< T
max.
71
70
77
PSRR
Power supply rejection ratio
(δV
CC
/δV
out
)
Positive and negative rail 75
A
vd
Large signal voltage gain
R
L
= 150 Ω to GND
V
out
= -4 to +4
T
amb
= 25 °C
T
min.
< T
amb
< T
max.
75
70
86
I
o
Output short circuit current source
T
amb
= 25 °C
V
id
= +1, V
out
to 1.5 V
V
id
= -1, V
out
to 1.5 V
|
Source
|
Sink
T
min.
< T
amb
< T
max.
V
id
= +1, V
out
to 1.5 V
V
id
= -1, V
out
to 1.5 V
|
Source
|
Sink
35
30
34
29
55
55
mA
V
OH
High level output voltage
T
amb
= 25 °C
R
L
= 150 Ω to GND
R
L
= 600 Ω to GND
R
L
= 2 kΩ to GND
R
L
= 10 kΩ to GND
T
min.
< T
amb
< T
max.
R
L
= 150 Ω to GND
4.2
4.1
4.36
4.85
4.9
4.93
V
V
OL
Low level output voltage
T
amb
= 25 °C
R
L
= 150 Ω to GND
R
L
= 600 Ω to GND
R
L
= 2 kΩ to GND
R
L
= 10 kΩ to GND
T
min.
< T
amb
< T
max.
R
L
= 150 Ω to GND
-4.63
-4.86
-4.9
-4.93
-4.4
-4.3
V