Datasheet

DocID7502 Rev 4 5/36
TSH7x Electrical characteristics
36
3 Electrical characteristics
Table 3. V
CC
+
= 3 V, V
CC
-
= GND, V
IC
= 1.5 V, T
amb
= 25 °C (unless otherwise specified)
Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit
|V
io
| Input offset voltage
T
amb
= 25 °C
T
min.
< T
amb
< T
max.
1.2 10
12
mV
ΔV
io
Input offset voltage drift vs. temp. T
min.
< T
amb
< T
max.
4 μV/°C
I
io
Input offset current
T
amb
= 25 °C
T
min.
< T
amb
< T
max.
0.1 3.5
5
μA
I
ib
Input bias current
T
amb
= 25 °C
T
min.
< T
amb
< T
max.
615
20
C
in
Input capacitance 0.2 pF
I
CC
Supply current per operator
T
amb
= 25 °C
T
min.
< T
amb
< T
max.
7.2 9.8
11
mA
CMRR
Common mode rejection ratio
(δV
IC
/δVio)
+0.1 < V
IC
<+1.9 V and V
out
= 1.5 V
T
amb
= 25 °C
T
min.
< T
amb
< T
max.
65
64
90
dB
SVRR
Supply voltage rejection ratio
(δVCC/δVio)
T
amb
= 25 °C
T
min.
< T
amb
< T
max.
66
65
74
PSRR
Power supply rejection ratio
(δVCC/δV
out
)
Positive and negative rail 75
A
vd
Large signal voltage gain
R
L
= 150 Ω to 1.5 V, V
out
= 1 V to 2 V
T
amb
= 25 °C
T
min.
< T
amb
< T
max.
70
65
81
I
o
Output short circuit current source
T
amb
=25 °C,
V
id
= +1, V
out
to 1.5 V,
V
id
= -1, V
out
to 1.5 V
|
Source
|
Sink
T
min.
< T
amb
< T
max.
V
id
= +1, V
out
to 1.5 V
V
id
= -1, V
out
to 1.5 V
|
Source
|
Sink
30
20
22
19
43
33
mA
V
OH
High level output voltage
T
amb
= 25 °C
R
L
= 150 Ω to GND
R
L
= 600 Ω to GND
R
L
= 2 kΩ to GND
R
L
= 10 kΩ to GND
R
L
= 150 Ω to 1.5 V
R
L
= 600 Ω to 1.5 V
R
L
= 2 kΩ to 1.5 V
R
L
= 10 kΩ to 1.5 V
T
min.
< T
amb
< T
max.
R
L
= 150 Ω to GND
R
L
= 150 Ω to 1.5V
2.45
2.65
2.4
2.6
2.60
2.87
2.91
2.93
2.77
2.90
2.92
2.93
V