Datasheet

TSH110-TSH111-TSH112-TSH113-TSH114 Electrical characteristics
3/15
2 Electrical characteristics
Table 3. Dual supply voltage, V
CC
= ±2.5V, R
fb
(1)
= 680Ω, T
amb
= 25°C (unless otherwise
specified)
Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit
DC performance
V
io
Input offset voltage
T
amb
-1.5 0.3 2.0 mV
T
min
< T
amb
< T
max
1mV
ΔV
io
Input offset voltage drift vs. temperature T
min
< T
amb
< T
max
5 μV/°C
I
ib+
Non inverting input bias current
T
amb
-10 1.4 13 μA
T
min
< T
amb
< T
max
2.5 μA
I
ib-
Inverting input bias current
T
amb
-3 1.9 7 μA
T
min
< T
amb
< T
max
2.5 μA
R
OL
Transimpedance R
L
=100Ω 500 750 kΩ
I
CC
Supply current per operator
T
amb
3.2 4 mA
T
min
< T
amb
< T
max
3.5 mA
CMR
Common mode rejection ratio
(
ΔV
ic
/ΔV
io
)
56 60 dB
SVR
Supply voltage rejection ratio
(
ΔV
CC
/ΔV
io
)
70 80 dB
PSR
Power supply rejection ratio
(
ΔV
CC
/ΔV
out
)
Gain=1, R
load
=3.9kΩ 48 dB
Dynamic performance and output characteristics
V
oh
High level output voltage
T
amb
R
L
= 100Ω
1.4 2 V
T
min
< T
amb
< T
max
R
L
= 100Ω GND
1.9 V
V
ol
Low level output voltage
T
amb
R
L
= 100Ω
-1.8 -1.3 V
T
min
< T
amb
< T
max
R
L
= 100Ω
-1.7 V
| I
sink
| Output sink current T
min
< T
amb
< T
max
20 mA
I
source
Output source current T
min
< T
amb
< T
max
18 mA
BW -3dB bandwidth
V
out
=1V
pk
, R
fb
(1)
=820Ω//2pF
Load=100Ω
A
VCL
=+2 81 MHz
SR Slew rate
A
VCL
=+2, 2V step
Load=100Ω
160 230 V/μs