Datasheet

TS924, TS924A Electrical characteristics
Doc ID 5065 Rev 10 3/17
2 Electrical characteristics
Table 3. Electrical characteristics at V
CC+
= +3 V with V
CC-
= 0 V, V
icm
= V
CC+
/2, T
amb
= 25 °C,
and R
L
connected to V
CC+
/2 (unless otherwise specified)
Symbol Parameter Min. Typ. Max. Unit
DC performance
V
io
Input offset voltage
TS924
TS924A
T
min
T
amb
T
max
TS924
TS924A
3
0.9
5
1.8
mV
DV
io
Input offset voltage drift 2 µV/°C
I
io
Input offset current - T
min
T
amb
T
max
130 nA
I
ib
Input bias current - T
min
T
amb
T
max
15 100 nA
CMR
V
icm
from 0 to 3 V
T
min
T
amb
T
max
60
56
80
dB
SVR
Supply voltage rejection ratio - V
CC+
= 2.7 to 3.3 V
T
min
T
amb
T
max
60
60
85
dB
A
vd
Large signal voltage gain (V
out
= 2 V
pk-pk
)
R
L
= 10 kΩ, T
min
T
amb
T
max
R
L
= 600 Ω, T
min
T
amb
T
max
R
L
= 32 Ω
70
15
200
35
16
V/mV
V
OH
High level output voltage
R
L
= 10 kΩ, T
min
T
amb
T
max
R
L
= 600 Ω, T
min
T
amb
T
max
R
L
= 32 Ω
2.90
2.87
2.63
V
V
OL
Low level output voltage
R
L
= 10 kΩ, T
min
T
amb
T
max
R
L
= 600 Ω, T
min
T
amb
T
max
R
L
= 32 Ω 180
50
100
mV
I
o
Output short-circuit current 50 80 mA
I
CC
Supply current /operator - no load, V
out
= V
CC+
/2
T
min
T
amb
T
max
11.5
1.6
mA
AC performance
GBP Gain bandwidth product - R
L
= 600 Ω 4MHz
φm Phase margin at unit gain - R
L
= 600 Ω, C
L
=100 pF 68 Degrees
G
m
Gain margin - R
L
= 600 Ω, C
L
=100 pF 12 dB
SR Slew rate 0.7 1.3 V/µs
e
n
Equivalent input noise voltage - f = 1 kHz 9
nV
Hz
------------