Datasheet

Electrical characteristics TS9222, TS9224
6/16 DocID15718 Rev 4
Table 4. Electrical characteristics measured at V
CC+
= 5 V, V
CC-
= 0 V, V
icm
= V
CC
/2,
T
amb
= 25° C, and R
L
connected to V
CC
/2 (unless otherwise specified)
Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit
V
io
Input offset voltage
500
µV
T
min
T
amb
T
max
900
ΔV
io
/ΔT Input offset voltage drift 2 μV/°C
I
io
Input offset current V
out
= V
CC
/2, T
min
T
amb
T
max
130
nA
I
ib
Input bias current
V
out
= V
CC
/2
T
min
T
amb
T
max
15 55
90
CMR
Common mode rejection
ratio
V
icm
from 0 to 5 V
T
min
T
amb
T
max
65
60
85
dB
SVR Supply voltage rejection ratio
V
CC
= 4.5 to 5.5 V
T
min
T
amb
T
max
75
70
90
A
vd
Large signal voltage gain
R
L
= 10 kΩ, V
out
= 2 V
p-p
70 200
V/mV
R
L
= 600 Ω, V
out
= 2 V
p-p
T
min
T
amb
T
max
24
3
35
V
OH
High level output voltage
R
L
= 10 kΩ, T
min
T
amb
T
max
4.9
V
R
L
= 600 Ω, T
min
T
amb
T
max
4.85
V
OL
Low level output voltage
R
L
= 10 kΩ, T
min
T
amb
T
max
50
mV
R
L
= 600 Ω, T
min
T
amb
T
max
120
I
o
Output short circuit current 50 80
mA
I
cc
Supply current (per channel)
No load, Vout = VCC/2
T
min
T
amb
T
max
0.9 1.2
1.3
GBP Gain bandwidth product
RL = 10 k
Ω, CL = 100 pF
4MHz
SR Slew rate 1.3 V/
μs
φm Phase margin at unit gain 63 Degrees
G
m
Gain margin 9.5 dB
e
n
Equivalent input noise
voltage
f = 1 kHz 9
THD Total harmonic distortion
V
out
= 2 V
p-p
, f = 1 kHz, A
v
= 1,
R
L
= 600 Ω
0.005 %
C
s
Channel separation 120 dB
nV
Hz
------------