Datasheet

DocID15718 Rev 4 5/16
TS9222, TS9224 Electrical characteristics
16
2 Electrical characteristics
Table 3. Electrical characteristics measured at V
CC+
= +3 V, V
CC-
= 0 V, V
icm
= V
CC
/2,
T
amb
= 25° C, and R
L
connected to V
CC
/2 (unless otherwise specified)
Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit
V
io
Input offset voltage
500
µV
T
min
T
amb
T
max
900
ΔV
io
/ΔT Input offset voltage drift 2 μV/°C
I
io
Input offset current V
out
= V
CC
/2, T
min
T
amb
T
max
130
nA
I
ib
Input bias current
V
out
= V
CC
/2
T
min
T
amb
T
max
15
55
90
CMR Common mode rejection ratio
V
icm
from 0 to 3 V
T
min
T
amb
T
max
65
60
85
dB
SVR Supply voltage rejection ratio
V
CC
= 2.7 to 3.3 V
T
min
T
amb
T
max
75
70
90
A
vd
Large signal voltage gain
R
L
= 10 kΩ, V
out
= 2 V
p-p
70 200
V/mV
R
L
= 600 Ω, V
out
= 2 V
p-p
T
min
T
amb
T
max
15
1.8
35
V
OH
High level output voltage
R
L
= 10 kΩ, T
min
T
amb
T
max
2.90
V
R
L
= 600 Ω, T
min
T
amb
T
max
2.87
V
OL
Low level output voltage
R
L
= 10 kΩ, T
min
T
amb
T
max
50
mV
R
L
= 600 Ω, T
min
T
amb
T
max
100
I
o
Output short circuit current 50 80
mA
I
CC
Supply current (per channel)
No load, Vout = V
CC
/2
T
min
T
amb
T
max
0.9 1.2
1.3
GBP Gain bandwidth product
R
L
= 10 kΩ, C
L
= 100 pF
4MHz
SR Slew rate 1.3 V/
μs
φm Phase margin at unit gain 60 Degrees
G
m
Gain margin 8.5 dB
e
n
Equivalent input noise
voltage
f = 1 kHz 9
THD Total harmonic distortion
V
out
= 2 V
p-p
, f = 1 kHz, A
v
= 1,
R
L
= 600 Ω
0.005 %
C
s
Channel separation 120 dB
nV
Hz
------------