Datasheet

DocID024119 Rev 2 5/26
TS882, TS884 Electrical characteristics
3 Electrical characteristics
Table 3. V
CC
=+1.2V, T
amb
= +25 °C, V
ICM
=V
CC
/2 (unless otherwise specified)
(1)
Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit
V
IO
Input offset voltage
(2)
T
amb
= +25 °C
-40 °C < T
amb
< +125 °C -6
1
6
mV
V
IO
Input offset voltage drift -40 °C < T
amb
< +125 °C 3 µV/°C
V
HYST
Input hysteresis voltage
(3)
T
amb
= +25 °C
-40 °C < T
amb
< +125 °C 1.5
2.4
4.2
mV
I
IO
Input offset current
(4)
T
amb
= +25 °C
-40 °C < T
amb
< +125 °C
10
100
pA
I
IB
Input bias current
(4)
T
amb
= +25 °C
-40 °C < T
amb
< +125 °C
110
100
pA
I
CC
Supply current per operator
No load, output low, V
ID
= -0.1 V
-40 °C < T
amb
< +125 °C
No load, output high, V
ID
= +0.1 V
-40 °C < T
amb
< +125 °C
300
220
450
350
nA
I
SC
Short-circuit current
Source
Sink
1.0
1.7
mA
V
OH
Output voltage high
I
source
=0.2mA
-40 °C < T
amb
< +85 °C
-40 °C < T
amb
< +125 °C
1.13
1.10
1.00
1.15
V
V
OL
Output voltage low
I
sink
=0.2mA
-40 °C < T
amb
< +85 °C
-40 °C < T
amb
< +125 °C
35 50
60
70
mV
CMRR Common mode rejection ratio
0 < V
ICM
< V
CC
-40 °C < T
amb
< +125 °C 50
68
dB
T
PLH
Propagation delay
(low to high)
f=1kHz,C
L
=30pF,R
L
=1M
Overdrive = 10 mV
-40 °C < T
amb
< +125 °C
Overdrive = 100 mV
-40 °C < T
amb
< +125 °C
5.5
2.1
11
13
3.1
3.4
µs
T
PHL
Propagation delay
(high to low)
f=1kHz,C
L
=30pF,R
L
=1M
Overdrive = 10 mV
-40 °C < T
amb
< +125 °C
Overdrive = 100 mV
-40 °C < T
amb
< +125 °C
5.1
1.9
8
10
2.6
3.1
µs
T
R
Rise time (10% to 90%) C
L
=30pF, R
L
=1M 100 ns