Datasheet

DocID023340 Rev 2 9/21
TS881 Electrical characteristics
21
Table 6. V
CC
=+5V, T
amb
=+25 °C, V
ICM
=V
CC
/2 (unless otherwise specified)
(1)
Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit
V
IO
Input offset voltage
(2)
-40 °C < T
amb
< +125 °C -6 1 6 mV
V
IO
Input offset voltage drift -40 °C < T
amb
< +125 °C 3 µV/°C
V
HYST
Input hysteresis voltage
(3)
-40 °C < T
amb
< +125 °C 1.6 3.1 4.2 mV
I
IO
Input offset current
(4)
-40 °C < T
amb
< +125 °C
-10
-100
10
100
pA
I
IB
Input bias current
(4)
-40 °C < T
amb
< +125 °C
-10
-100
110
100
pA
I
CC
Supply current per operator
No load, output low, V
ID
= -0.1 V
-40 °C < T
amb
< +85 °C
-40 °C < T
amb
< +125 °C
No load, output high, V
ID
= +0.1 V
-40 °C < T
amb
< +85 °C
-40 °C < T
amb
< +125 °C
350
250
500
750
1350
400
650
1250
nA
I
SC
Short-circuit current
Source
Sink
32
36
mA
V
OH
Output voltage high
I
source
=2mA
-40 °C < T
amb
< +85 °C
-40 °C < T
amb
< +125 °C
4.86
4.75
4.60
4.90
V
V
OL
Output voltage low
I
sink
=2mA
-40 °C < T
amb
< +85 °C
-40 °C < T
amb
< +125 °C
95 130
170
280
mV
CMRR Common mode rejection ratio
0 < V
ICM
< V
CC
-40 °C < T
amb
< +125 °C 55
78
dB
SVR Supply voltage rejection
V
CC
= 1.2 V to 5 V
-40 °C < T
amb
< +125 °C 65
80
dB
T
PLH
Propagation delay
(low to high)
f=1kHz,C
L
=30pF,R
L
=1M
Overdrive = 10 mV
-40 °C < T
amb
< +125 °C
Overdrive = 100 mV
-40 °C < T
amb
< +125 °C
7.8
2.6
13
22
3.4
4.1
µs
T
PHL
Propagation delay
(high to low)
f=1kHz,C
L
=30pF,R
L
=1M
Overdrive = 10 mV
-40 °C < T
amb
< +125 °C
Overdrive = 100 mV
-40 °C < T
amb
< +125 °C
8.9
2.7
16
19
3.5
4.2
µs
T
R
Rise time (10% to 90%) C
L
=30pF, R
L
=1M 160 ns
T
F
Fall time (90% to 10%) C
L
=30pF, R
L
=1M 150 ns
T
ON
Power-up time 1.1 1.5 ms
1. All values over the temperature range are guaranteed through correlation and simulation. No production test is performed
at the temperature range limits.
2. The offset is defined as the average value of positive and negative trip points (input voltage differences requested to
change the output state in each direction).
3. The hysteresis is a built-in feature of the TS881 device. It is defined as the voltage difference between the trip points.
4. Maximum values are guaranteed by design.