Datasheet

RBO40-40G / RBO40-40T
3/10
Symbol Test Conditions
Value
Unit
Min. Typ. Max.
V
F13
I
F
=40A
1.9 V
V
F13
I
F
= 20A
1.45 V
V
F13
I
F
=1A
1V
V
F13
I
F
= 100 mA
0.95 V
C
13
F = 1MHz V
R
=0V
3000 pF
ELECTRICAL CHARACTERISTICS : DIODE D1 (- 40°C < T
amb
< + 85°C)
Symbol Parameter
V
RM31
/V
RM32
Stand-off voltage Transil T1 / Transil T2.
V
BR31
/V
BR32
Breakdown voltage Transil T1 / Transil T2.
I
R31
/I
R32
Leakage current Transil T1 / Transil T2.
V
CL31
/V
CL32
Clamping voltage Transil T1 / Transil T2.
V
F13
Forward voltage drop Diode D1.
I
PP
Peak pulse current.
αT
Temperature coefficient of V
BR
.
C
31
/C
32
Capacitance Transil T1 / Transil T2.
C
13
Capacitance of Diode D1
Symbol Test Conditions
Value
Unit
Min. Typ. Max.
V
BR 31
I
R
=1mA
22 35 V
V
BR 31
I
R
= 1 mA, T
amb
= 25°C
24 32 V
I
RM 31
V
RM
=20V
100 µA
I
RM 31
V
RM
=20V,T
amb
= 25°C
10 µA
V
CL 31
I
PP
= 37.5A, Tj initial = 25°C
10/1000µs 40 V
α T
Temperature coefficient of V
BR
910
-4
/°C
C
31
F = 1MHz V
R
=0V
3000 pF
ELECTRICAL CHARACTERISTICS : TRANSIL T1 (- 40°C < T
amb
< + 85°C)
Symbol Test Conditions
Value
Unit
Min. Typ. Max.
V
BR 32
I
R
=1mA
22 35 V
V
BR 32
I
R
= 1 mA, T
amb
= 25°C
24 32 V
I
RM 32
V
RM
=20V
100 µA
I
RM 32
V
RM
=20V,T
amb
= 25°C
10 µA
V
CL 32
I
PP
= 20 A (note 1)
40 V
α T
Temperature coefficient of V
BR
910
-4
/°C
C
32
F = 1MHz V
R
=0V
8000 pF
Note 1 : One pulse, see pulse definition in load dump test generator circuit.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS : TRANSIL T2 (- 40°C < T
amb
< + 85°C)