Datasheet

RBO08-40G / RBO08-40T
3/9
Symbol Test Conditions
Value
Unit
Min. Typ. Max.
V
F13
I
F
=8A
RBO08-40G
1.5 V
RBO08-40T
1.7 V
I
F
=8A@T
amb
= 25°C
1.45 V
V
F13
I
F
=4A
RBO08-40G
1.3 V
RBO08-40T
1.35 V
I
F
=4A@T
amb
= 25°C
1.2 V
V
F13
I
F
=1A
1.1 V
I
F
=1A@T
amb
= 25°C
1.0 V
I
F
=1A@Tj=85°C
0.9 V
ELECTRICAL CHARACTERISTICS : DIODE D1 (- 40°C < T
amb
< + 85°C)
Symbol Parameter
V
RM31
/V
RM32
Stand-off voltage Transil T1 / Transil T2.
V
BR31
/V
BR32
Breakdown voltage Transil T1 / Transil T2.
I
R31
/I
R32
Leakage current Transil T1 / Transil T2.
V
CL31
/V
CL32
Clamping voltage Transil T1 / Transil T2.
V
F13
Forward voltage drop Diode D1.
I
PP
Peak pulse current.
αT
Temperature coefficient of V
BR
.
C
31
/C
32
Capacitance Transil T1 / Transil T2.
Symbol Test Conditions
Value
Unit
Min. Typ. Max.
V
BR 31
I
R
=1mA
22 35 V
V
BR 31
I
R
= 1 mA, T
amb
= 25°C
24 32 V
I
RM 31
V
RM
=20V
50 µA
I
RM 31
V
RM
=20V,T
amb
= 25°C
10 µA
V
CL 31
I
PP
= 15A, Tj initial = 25°C
10/1000µs 40 V
α T
Temperature coefficient of V
BR
910
-4
/°C
C
31
F = 1MHz V
R
=0V
1000 pF
ELECTRICAL CHARACTERISTICS : TRANSIL T1 (- 40°C < T
amb
< + 85°C)
Symbol Test Conditions
Value
Unit
Min. Typ. Max.
V
BR 32
I
R
=1mA
22 35 V
V
BR 32
I
R
= 1 mA, T
amb
= 25°C
24 32 V
I
RM 32
V
RM
=20V
50 µA
I
RM 32
V
RM
=20V,T
amb
= 25°C
10 µA
V
CL 32
I
PP
= 37.5 A
10/1000µs 40 V
α T
Temperature coefficient of V
BR
8.5 10
-4
/⊃
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS : TRANSIL T2 (- 40°C < T
amb
< + 85°C)