Datasheet

LF147 - LF247 - LF347
3/10
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
V
CC
= ±15V, T
amb
= +25°C (unless otherwise specified)
Symbol Parameter Min. Typ. Max. Unit
V
io
Input Offset Voltage (R
s
=
10k
Ω
)
T
amb
= 25°C
T
min
≤
T
amb
≤
T
max
310
13
mV
DV
io
Input Offset Voltage Drift 10
µ
V/°C
I
io
Input Offset Current - note
1)
T
amb
= 25°C
T
min
≤
T
amb
≤
T
max
1. The input bias currents are junction leakage currents which approximately double for every 10°C increase in the junction temperature.
5100
4
pA
nA
I
ib
Input Bias Current - note 1
T
amb
= 25°C
T
min
≤
T
amb
≤
T
max
20 200
20
pA
nA
A
vd
Large Signal Voltage Gain (R
L
= 2k
Ω
, V
o
= ±10V) ,
T
amb
= 25°C
T
min
≤
T
amb
≤
T
max
50
25
200
V/mV
SVR
Supply Voltage Rejection Ratio (R
S
=
10k
Ω)
T
amb
= 25°C
T
min
≤
T
amb
≤
T
max
80
80
86
dB
I
CC
Supply Current, Per Amp, no Load
T
amb
= 25°C
T
min
≤
T
amb
≤
T
max
1.4 2.7
2.7
mA
V
icm
Input Common Mode Voltage Range
±11 +15
-12
V
CMR
Common Mode Rejection Ratio (R
S
=
10k
Ω)
T
amb
= 25°C
T
min
≤
T
amb
≤
T
max
70
70
86
dB
I
OS
Output Short-Circuit Current
T
amb
= 25°C
T
min
≤
T
amb
≤
T
max
10
10
40 60
60
mA
±V
opp
Output Voltage Swing
T
amb
= 25°C R
L
= 2k
Ω
R
L
= 10k
Ω
T
min
≤
T
amb
≤
T
max
R
L
= 2k
Ω
R
L
= 10k
Ω
10
12
10
12
12
13.5
V
SR
Slew Rate
V
i
= 10V, R
L
= 2k
Ω
, C
L
= 100pF, T
amb
= 25°C, unity gain
12 16
V/
µ
s
t
r
Rise Time
V
i
= 20mV, R
L
= 2k
Ω
,C
L
= 100pF, T
amb
= 25°C, unity gain
0.1
µ
s
K
ov
Overshoot
V
i
= 20mV, R
L
= 2k
Ω
, C
L
= 100pF, T
amb
= 25°C, unity gain
10
%
GBP
Gain Bandwidth Product
f =100kHz, T
amb
= 25°C, V
in
= 10mV, R
L
=2k
Ω
, C
L
= 100pF
2.5 4
MHz
R
i
Input Resistance
10
12
Ω
THD
Total Harmonic Distortion
f =1kHz, A
v
= 20dB, R
L
= 2k
Ω
, C
L
= 100pF
T
amb
= 25°C, V
O
= 2Vpp 0.01
%
e
n
Equivalent Input Noise Voltage (R
S
=
100
Ω,
f = 1KHz)
15
∅
m Phase Margin 45 Degrees
V
o1
/V
o2
Channel Separation ( A
v
= 100)
120 dB
nV
Hz
------------