Datasheet

L2720W Electrical specifications
Doc ID 13407 Rev 2 5/12
3.4 Electrical characteristics
The electrical specifications in Ta b l e 6 below are given for operation under the conditions
V
S
=24V, T
amb
= -40 °C to 125 °C and RI connected to GND, unless otherwise specified
Table 6. Electrical characteristics
Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit
I
s
Quiescent current V
O
= V
S
/ 2
T
amb
= 25 °C - 10 15
mA
--1018
Iib Input bias current V
CM
= 0
T
amb
= 25 °C - 0.2 1
µA
--0.21
Iob Input offset current V
CM
= 0
T
amb
= 25 °C - - 100
nA
- - - 100
V
os
Input offset voltage
T
amb
= 25 °C -10 - 10
mV
--10-10
∆V
os
/∆T
Average temperature
coefficient of V
os
--20-
µV/°
C
SR Slew rate
Vin = -10 V to +10 V,
R
L
= 2 kΩ, C
L
= 100 pF, Av = -1,
T
amb
= 25 °C
-2-V/µs
B Gain-bandwidth product - - 1.2 - MHz
G
v
Open loop voltage gain
f = 100 Hz 70 80 -
dB
f = 1 kHz - 60 -
CMRR Common mode rejection ratio f = 1 kHz 66 84 - dB
SVRR Supply voltage rejection ratio
f = 100 Hz
R
G
= 10 kΩ
V
R
= 0.5 V
V
s
= 24 V - 70 -
dB
Vs = ±12 V 60 75 -
V
DROP(H)
Drop voltage high
I
p
= 100 mA
T
amb
= 25 °C - 0.7 1
V
--0.81.5
I
p
= 1 A
T
amb
= 25 °C - 1.0 1.5
--1.11.5
V
DROP(L)
Drop voltage low
I
p
= 100 mA
T
amb
= 25 °C - 0.3 0.7
V
--0.41
I
p
= 1 A
T
amb
= 25 °C - 0.5 1
--1.31.5
C
s
Channel separation
f = 1 kHz;
R
L
= 10 Ω;
G
v
= 30 dB
V
s
= 24 V - 60 -
dB
V
s
= 6 V - 60 -
e
N
Input noise voltage
B = 22 Hz to 22 kHz,
T
amb
= 25 °C
-10-µV