Datasheet

TS922, TS922A Electrical characteristics
Doc ID 5150 Rev 8 5/21
3 Electrical characteristics
Table 3. Electrical characteristics measured at V
CC
= +3 V, V
DD
= 0 V, V
icm
= V
CC
/2,
T
amb
= 25°C, and R
L
connected to V
CC
/2 (unless otherwise specified)
Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit
V
io
Input offset voltage
TS922
TS922A
TS922IJ (flip-chip)
3
0.9
1.5
mV
T
min
≤ T
amb
≤ T
max
TS922
TS922A
TS922IJ (flip-chip)
5
1.8
2.5
DV
io
Input offset voltage drift 2 μV/°C
I
io
Input offset current
V
out
= V
CC
/2
T
min
≤ T
amb
≤ T
max
130
30
nA
I
ib
Input bias current
V
out
= V
CC
/2
T
min
≤ T
amb
≤ T
max
15 100
100
nA
V
OH
High level output voltage
R
L
= 10 kΩ
T
min
≤ T
amb
≤ T
max
2.90
2.90
V
R
L
= 600 Ω
T
min
≤ T
amb
≤ T
max
2.87
2.87
V
R
L
= 32 Ω 2.63 V
V
OL
Low level output voltage
R
L
= 10 kΩ
T
min
≤ T
amb
≤ T
max
50
50
mV
R
L
= 600 Ω
T
min
≤ T
amb
≤ T
max
100
100
mV
R
L
= 32 Ω 180 mV
A
vd
Large signal voltage gain
R
L
= 10 kΩ, V
out
= 2 V
p-p
T
min
≤ T
amb
≤ T
max
70
200
V/mVR
L
= 600 Ω, V
out
= 2 V
p-p
T
min
≤ T
amb
≤ T
max
15
35
R
L
= 32 Ω, V
out
= 2 V
p-p
16
I
CC
Total supply current
No load, V
out
= V
CC
/2
T
min
≤ T
amb
≤ T
max
23
3.2
mA
GBP Gain bandwidth product R
L
= 600 Ω 4MHz
CMR Common mode rejection ratio
T
min
≤ T
amb
≤ T
max
60
56
80
dB
SVR Supply voltage rejection ratio
V
CC
= 2.7 to 3.3 V
T
min
≤ T
amb
≤ T
max
60
60
85
dB
I
o
Output short-circuit current 50 80 mA
SR Slew rate 0.7 1.3 V/μs
φm Phase margin at unit gain R
L
= 600 Ω, C
L
= 100 pF 68 Degrees