Data Sheet

Electrical characteristics TSH80, TSH81, TSH82, TSH84
10/30 DocID009413 Rev 9
Table 4. Electrical characteristics at V
CC
+
= +5 V, V
CC
-
= -5 V, V
ic
= GND, T
amb
= 25 °C
(unless otherwise specified)
Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit
|V
io
| Input offset voltage
T
amb
= 25 °C
T
min
< T
amb
< T
max
0.8 10
12
mV
ΔV
io
/ΔT
Input offset voltage drift vs.
temperature
T
min
< T
amb
< T
max
2µV/°C
I
io
Input offset current
T
amb
= 25 °C
T
min
< T
amb
< T
max
0.1 3.5
5
µA
I
ib
Input bias current
T
amb
= 25 °C
T
min
< T
amb
< T
max
615
20
C
in
Input capacitance 0.7 pF
I
CC
Supply current per operator
T
amb
= 25 °C
T
min
< T
amb
< T
max
9.8 12.3
13.4
mA
CMR
Common mode rejection ratio
(ΔV
ic
/ΔV
io
)
-4.9 < V
ic
< 3.9 V and V
out
= GND
T
amb
= 25 °C
T
min
< T
amb
< T
max
81
72
106
dB
SVR
Supply voltage rejection ratio
(ΔV
CC
/ΔV
io
)
T
amb
= 25 °C
T
min
< T
amb
< T
max
71
65
77
PSR
Power supply rejection ratio
(ΔV
CC
/ΔV
out
)
Positive and negative rail 75
A
vd
Large signal voltage gain
R
L
= 150 Ω connected to GND and
V
out
= -4 to +4
T
amb
= 25 °C
T
min
< T
amb
< T
max
75
70
86
I
o
|Source|
V
id
= +1, V
out
connected to 1.5 V
T
amb
= 25 °C
T
min
< T
amb
< T
max
35
28
55
mA
Sink
V
id
= -1, V
out
connected to 1.5 V
T
amb
= 25 °C
T
min
< T
amb
< T
max
30
28
55
V
oh
High-level output voltage
T
amb
= 25 °C
R
L
= 150 Ω connected to GND
R
L
= 600 Ω connected to GND
R
L
= 2 kΩ connected to GND
R
L
= 10 kΩ connected to GND
T
min
< T
amb
< T
max
R
L
= 150 Ω connected to GND
4.2
4.1
4.36
4.85
4.9
4.93
V
V
ol
Low-level output voltage
T
amb
= 25 °C
R
L
= 150 Ω connected to GND
R
L
= 600 Ω connected to GND
R
L
= 2 kΩ connected to GND
R
L
= 10 kΩ connected to GND
T
min
< T
amb
< T
max
R
L
= 150 Ω connected to GND
-4.63
-4.86
-4.9
-4.93
-4.4
-4.3
mV