Brochure

ESG 8.67
Plage de température ambiante. Limites de tempéra-
ture de l'air ambiant, généralement indiquées à la fois
pour les conditions de fonctionnement et de stockage.
Il est parfois indispensable de surveiller précisément la
température maximale de fonctionnement selon les
lois de la thermique sur le rayonnement de chaleur et
de prévoir un radiateur, le cas échéant.
Protection pour semi-conducteurs. Protection à
action rapide de conception spéciale, permettant de
protéger les composants semi-conducteurs et présen-
tant des temps d'ouverture généralement inférieurs à
10 ms.
Redressement à l'entrée des phases. Excitation d'un
relais statique à un angle de phase quelconque, déter-
miné par la source du signal de commande.
Relais statique (relais à semi-conducteur). Commu-
tateur statique dont les entrées et sorties sont isolées
galvaniquement afin de permettre une commutation
sans usure de différentes charges.
Résistance d'isolation (minimale). Valeur ohmique,
généralement mesurée pour un courant continu de 500
V, de l'entrée à la sortie, ou des deux par rapport au
boîtier.
Résistance thermique (Rθ). Exprimée en degrés
Celsius par Watt [°C/W], cette valeur détermine la chute
de température entre l'énergie produite à la sortie du
relais statique semi-conducteur et le milieu utilisé pour
la dissipation (radiateur/air).
Rupture (décharge disruptive). Point auquel la
capacité de blocage d'un relais statique s'annule car la
tension dépasse sa valeur nominale maximale (instan-
tanée).
Surcharge maximale (non restaurée). Comme précé-
demment, mais généralement exprimée sous forme de
valeur efficace pour une durée d'une seconde.
Surtension transitoire. Oscillation maximale admissi-
ble de courte durée de la tension appliquée qu'un relais
statique peut supporter sans être endommagé ou sans
provoquer de dysfonctionnement, tout en restant à
l'état bloqué.
TEC (FET). Transistor à effet de champ. Son principe
de fonctionnement est différent de celui des transistors
de type bipolaire. La tension qui est appliquée entre la
grille et la source module la résistance du composant
en fonction du flux de courant entre le drain et la source
par l'intermédiaire d'un champ créé dans la zone du
canal.
Temps de coupure (maximal). Temps écoulé entre la
coupure du signal de commande et le passage du relais
statique à l'état complètement déconnecté (état
bloqué).
Temps d'excitation (maximal). Temps écoulé entre
l'application d'un signal de commande d'excitation et le
passage de la sortie du relais statique à l'état complète-
ment conducteur.
Tension à l'état bloqué. Tension maximale admissible
(valeur de crête) avant la rupture.
Tension de charge. Tension comprise entre les tensi-
ons secteur minimale et maximale pouvant être appli-
quée à la sortie d'un relais statique.
Tension de commande. Tension qui, lorsqu'elle est
appliquée aux bornes d'entrée d'un relais statique,
maintient un état passant au niveau des bornes de
sortie (qui sont normalement ouvertes).
Tension de coupure (valeur de mise au repos).
Tension à laquelle le relais statique passe obligatoire-
ment de l'état conducteur à l'état bloqué.
Tension d'excitation (valeur de mise au travail).
Tension minimale appliquée à l'entrée d'un relais
statique, à laquelle le relais passe de l'état bloqué à
l'état conducteur.
Tension directe (maximale). Chute de tension (valeur
de crête) à pleine charge nominale aux bornes de sortie
d'un relais statique.
Tension efficace (valeur quadratique moyenne).
Valeur de la tension alternative (courant alternatif)
produisant dans une charge ohmique la même dissipa-
tion de puissance que la tension continue (courant
continu). Pour une onde sinusoïdale, la valeur efficace
est égale à 0,707 fois la valeur de crête.
Thyristor. Elément semi-conducteur bistable composé
de deux ou trois jonctions (PNPN, etc.). Terme général
désignant une famille de commutateurs commandés
par grille, y compris les redresseurs commandés au
silicium et les triacs.
Transistor. En général, composant semi-conducteur à
trois bornes, dans lequel le flux de courant continu
entre deux des bornes est modulé par la troisième. Un
transistor bipolaire est essentiellement un composant
commandé par l'intensité alors qu'un transistor à effet
de champ est un composant commandé par la tension.
Transitoires. Surtensions ou surintensités de courte
durée par rapport à l'état normal.
Triac (thyristor triode bidirectionnel). Semi-conduc-
teur de la famille des thyristors, exerçant une action
bidirectionnelle. Le principe de fonctionnement est
semblable à celui d'un couple de redresseurs comman-
dés au silicium montés tête-bêche et enclenchés par
une même électrode de grille.
Varistance. Voir MOV (Varistance à oxyde métallique).