Datasheet

Technische Daten
MZ-75E120B/EU MZ-75E250B/EU MZ-75E500B/EU MZ-75E1T0B/EU MZ-75E2T0B/EU
Allgemein
Kapazität 120 GB 250 GB 500 GB 1 TB 2 TB
Gewicht 39 g 40 g 45 g 66 g 66 g
Maße (L x B x H) 100 x 69,85 x 6,8 mm 100 x 69,85 x 6,8 mm 100 x 69,85 x 6,8 mm 100 x 69,85 x 6,8 mm 100 x 69,85 x 6,8 mm
Geschwindigkeit
Lesen/Schreiben
bis zu 540 MB/s
1
bzw. 520 MB/s
1
bis zu 540 MB/s
1
bzw. 520 MB/s
1
bis zu 540 MB/s
1
bzw. 520 MB/s
1
bis zu 540 MB/s
1
bzw. 520 MB/s
1
bis zu 540 MB/s
1
bzw. 520 MB/s
1
Ein-/Ausgabe-
operationen
bis zu 94.000 IOPS Read
1
bis zu 88.000 IOPS Write
1
bis zu 97.000 IOPS Read
1
bis zu 88.000 IOPS Write
1
bis zu 98.000 IOPS Read
1
bis zu 88.000 IOPS Write
1
bis zu 98.000 IOPS Read
1
bis zu 90.000 IOPS Write
1
bis zu 98.000 IOPS Read
1
bis zu 90.000 IOPS Write
1
Lieferumfang
Software
SAMSUNG Magician
Software zur Verwaltung
der SSD, SAMSUNG Data
Migration (als kostenfreier
Download enthalten)
2
SAMSUNG Magician
Software zur Verwaltung
der SSD, SAMSUNG Data
Migration (als kostenfreier
Download enthalten)
2
SAMSUNG Magician
Software zur Verwaltung
der SSD, SAMSUNG Data
Migration (als kostenfreier
Download enthalten)
2
SAMSUNG Magician
Software zur Verwaltung
der SSD, SAMSUNG Data
Migration (als kostenfreier
Download enthalten)
2
SAMSUNG Magician
Software zur Verwaltung
der SSD, SAMSUNG Data
Migration (als kostenfreier
Download enthalten)
2
Dokumente
Installationsanweisung,
Gebrauchsanleitung
Installationsanweisung,
Gebrauchsanleitung
Installationsanweisung,
Gebrauchsanleitung
Installationsanweisung,
Gebrauchsanleitung
Installationsanweisung,
Gebrauchsanleitung
Technische Merkmale der SSD 850 EVO Serie
1
Sequenzielle Leistungsdaten ermittelt mit CrystalDiskMark v3.0.1. Random-Performance ermittelt mit
Iometer 2010. Performance variiert in Abhängigkeit von SSD Firmware, Systemhardware und -konfiguration.
2
www.samsung.com/samsungssd
3
Die tatsächliche Leistungsaufnahme kann abhängig von der Systemhardware und -konfiguration abweichen.
Formfaktor 2,5 Zoll
Durchschnittliche Leistungs-
aufnahme im Betrieb
3
Lesen: max. 3,7 W (2 TB)
Schreiben: max. 4,7 W (2 TB)
Durchschnittliche Leistungs-
aufnahme im Leerlauf
3
Leerlauf: max. 0,05 W
Ruhezustand (DevSlp): 0,002 W (120 GB, 250 GB,
500 GB) bzw. 0,004 W (1 TB) und 0,005 W (2 TB)
Zulässige Spannung 5 V ± 5 %
Zuverlässigkeit (MTBF) 1,5 Mio. Stunden
Betriebstemperatur 0 °C bis 70 °C
Lebensdauer
75 TB Total Bytes Written bei 120 GB und 250 GB
150 TB Total Bytes Written bei 500 GB/1 TB und 2 TB
Schnittstelle
SATA 6 Gb/s (abwärtskompatibel mit SATA 3 Gb/s
und SATA 1,5 Gb/s)
Stoßsicherheit 1.500 G und 0,5 ms (halber Sinus)
Storage-Speicher Samsung 3-Bit V-NAND
Controller
Samsung MGX-Controller (120/250/500 GB, 1 TB)
Samsung MHX-Controller (2 TB)
Datenverschlüsselung
AES 256-Bit-Verschlüsselung (Class 0), TCG/Opal 2.0,
IEEE 1667 (Encrypted Drive)
DRAM Cache-Speicher
SAMSUNG 256 MB Low Power DDR3 SDRAM (120 GB)
SAMSUNG 512 MB Low Power DDR3 SDRAM
(250 GB/500 GB)
SAMSUNG 1 GB Low Power DDR3 SDRAM (1 TB)
SAMSUNG 2 GB Low Power DDR3 SDRAM (2 TB)
Performance
1
Sequential Read: max. 540 MB/s
Sequential Write: max. 520 MB/s
4 KB Random Read (QD1): max. 10.000 IOPS
4 KB Random Write (QD1): max. 40.000 IOPS
4 KB Random Read (QD32): max. 94.000 IOPS (120 GB)
4 KB Random Read (QD32): max. 97.000 IOPS (250 GB)
4 KB Random Read (QD32): max. 98.000 IOPS
(500 GB/1 TB/2 TB)
4 KB Random Write (QD32): max. 88.000 IOPS
(120 GB/250 GB/500 GB)
4 KB Random Write (QD32): max. 90.000 IOPS
(1 TB/2 TB)
Besonderheiten
GC (Garbage Collection), TRIM, SMART,
TurboWrite-Technologie
Garantie
5 Jahre eingeschränkte Garantie (150 TB TBW bei
500 GB/1 TB und 2 TB, 75 TB TBW bei 250 GB
und 120 GB)