User manual

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Änderungen vorbehalten
tischen Feldes ab und ist damit proportional zur
Stromänderung in der Fläche an dieser Stelle. Der
zeitliche Ablauf ist recht schnell.
Die Flankenzeit liegt im Subnanosekunden-
Bereich. Dies hat seine Ursache darin, dass
hochfrequente Stromkomponenten vor alIem
in der unmittelbaren Nähe des V
cc
-Pinsie-
ßen,dennsiekönnennurausderLadungder
V
cc
-Flächeselbstentnommenwerden.Über
größereZuleitungenkönnendiehochfrequenten
Komponentennichtzugeführtwerden,daderen
Impedanz zu groß ist. Am V
cc
-Pin selbst ist kein
Stützkondensatorangebracht,weildiesereben-
falls hochfrequente Komponenten des Stromes
nicht zu liefern vermag.
NatürlichistdasV
cc
-GND-System in der Flächen-
mitte mit einer Kondensatorgruppe zusätzlich
gestützt.DieseKondensatorgruppevermag
jedoch nur die niedrigen Frequenzkomponenten
zu liefern.
Bild 2: Flächenstromänderung in der
Nähe einer Kondensatorgruppe
Bild 2 zeigt die Flächenstromänderung in der
Nähe dieser Kondensatorgruppe. Man erkennt
dass dieses Signal wesentlich langsamer ist
als das in Bild 1. Die Flankenzeit liegt bei drei
Nanosekunden. Die Kondensatorgruppe kann
den Strom nur langsam in die Fläche einspeisen.
SolcheDetailslassensichnatürlichnurmithoch
auösendenSondenentnehmen.
Das nächste Beispiel zeigt uns die Wirkung ab-
sorptiverEntstörmaßnahmen.
Bild 3: Signal unmittelbar am V
cc
-Pin
eines 74 AC 00
In Bild 3 ist das Signal unmittelbar am V
cc
-Pin
eines 74AC00 mit der Mikro-H-Sonde entnommen
worden. Die integrierte Schaltung wird hier aus
einem nicht gedämpften V
cc
-GND- Flächensystem
gespeist.DieÄnderungendesmagnetischen
Feldes sind sehr erheblich.
Bild 4: Vergleichssignal bei einem zweistug
gedämpften Stromversorgungssystem
Im Gegensatz hierzu sieht man in Bild 4 das
gleiche Signal, jedoch wird die Schaltung hier
auseinemzweistuggedämpftenStromversor-
gungssystem gespeist.
EMV-Probleme in der Praxis