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Änderungen vorbehalten
tischen Feldes ab und ist damit proportional zur
Stromänderung in der Fläche an dieser Stelle. Der
zeitliche Ablauf ist recht schnell.
Die Flankenzeit liegt im Subnanosekunden - Be-
reich. Dies hat seine Ursache darin, dass hoch-
frequente Stromkomponenten vor alIem in der
unmittelbaren Nähe des V
cc
-Pins ießen, denn sie
können nur aus der Ladung der V
cc
-Fläche selbst
entnommen werden. Über größere Zuleitungen
können die hochfrequenten Komponenten nicht
zugeführt werden, da deren Impedanz zu groß
ist. Am V
cc
-Pin selbst ist kein Stützkondensator
angebracht, weil dieser ebenfalls hochfrequente
Komponenten des Stromes nicht zu liefern ver-
mag.
Natürlich ist das V
cc
-GND-System in der Flächen-
mitte mit einer Kondensatorgruppe zusätzlich
gestützt. Diese Kondensatorgruppe vermag
jedoch nur die niedrigen Frequenzkomponenten
zu liefern.
Bild 2: Flächenstromänderung in der
Nähe einer Kondensatorgruppe
Bild  zeigt die Flächenstromänderung in der
Nähe dieser Kondensatorgruppe. Man erkennt
dass dieses Signal wesentlich langsamer ist
als das in Bild 1. Die Flankenzeit liegt bei drei
Nanosekunden. Die Kondensatorgruppe kann
den Strom nur langsam in die Fläche einspeisen.
Solche Details lassen sich natürlich nur mit hoch
auösenden Sonden entnehmen.
Das nächste Beispiel zeigt uns die Wirkung ab-
sorptiver Entstörmaßnahmen.
Bild 3: Signal unmittelbar am V
cc
-Pin
eines 74 AC 00
In Bild  ist das Signal unmittelbar am Vcc-Pin
eines 7AC00 mit der Mikro-H-Sonde entnommen
worden. Die integrierte Schaltung wird hier aus
einem nicht gedämpften V
cc
-GND- Flächensys-
tem gespeist. Die Änderungen des magnetischen
Feldes sind sehr erheblich.
Bild 4: Vergleichssignal bei einem zweistug
gedämpften Stromversorgungssystem
Im Gegensatz hierzu sieht man in Bild  das
gleiche Signal, jedoch wird die Schaltung hier
aus einem zweistug gedämpften Stromversor-
gungssystem gespeist.
EM V - P rob l e m e i n d er P r a xis
E M V - P r o b l e m e i n d e r P r a x i s