Datasheet

Semiconductor Group 2
IRL 81 A
Grenzwerte (T
A
= 25 °C)
Maximum Ratings
1)
Ein Silizium-Empfänger mit radiometrischem Filter und mit 1 cm
2
strahlungsempfindlicher Fläche wird nach
der mechanischen Achse der Sendediode ausgerichtet. Es wird eine Lochblende verwendet.
1)
A 1 cm
2
silicon detector with radiometric filter is aligned with the mechanical axis of the DUT. An aperture is
used.
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
; T
stg
– 40 ... + 100 °C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
5V
Durchlaßstrom
Forward current
I
F
100 mA
Verlustleistung
Power dissipation
P
tot
200 mW
Verringerung der Verlustleistung,
T
A
> 25 °C
Derate above, T
A
> 25 °C
1.33 mW/°C
Wärmewiderstand
Thermal resistance
R
thJA
375 K/W
Kennwerte (
T
A
= 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlänge der Strahlung bei
I
max
Wavelength of peak emission
λ
peak
880 nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
I
max
Spectral bandwidth at 50 % of I
max
∆λ 36 ... 44 nm
Abstrahlwinkel
Half angle
ϕ±25 Grad
deg.
Durchlaßspannung, I
F
= 20 mA
Forward voltage
V
F
1.5 (≤ 2.0) V
Strahlstärke
1)
, I
F
= 20 mA
Radiant intensity
I
e
≥ 1.0 mW/sr
Gesamtstrahlungsfluß,
I
F
= 20 mA
Total radiant flux
Φ
e
1.5 mW