Datasheet

IRL 80 A
Semiconductor Group 2
Grenzwerte (T
A
= 25 °C)
Maximum Ratings
1)
Ein Silizium-Empfänger mit 1 cm
2
strahlungsempfindlicher Fläche wird nach der mechanischen Achse
ausgerichtet. Es wird eine Lochblende verwendet.
1)
A 1 cm
2
silicon detector is aligned with the mechanical axis. An aperture is used.
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
; T
stg
– 40 ... + 100 °C
Löttemperatur
Lötstelle ≥ 0.15 cm vom Gehäuse,
Lötzeit
t = 5 s
Sodering temperature, ≥ 0.15 mm distance
from case bottom, soldering time t = 5 s
T
S
240 °C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
3V
Durchlaßstrom
Forward current
I
F
60 mA
Verlustleistung
Power dissipation
P
tot
100 mW
Verringerung der Verlustleistung,
T
A
> 25 °C
Derate above, T
A
> 25 °C
1.33 mW/°C
Wärmewiderstand
Thermal resistance
R
thJA
750 K/W
Kennwerte (
T
A
= 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlänge der Strahlung bei
I
max
Wavelength of peak emission
λ
peak
950 nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
I
max
Spectral bandwidth at 50 % of I
max
∆λ ± 20 nm
Abstrahlwinkel
Half angle
ϕ±30 Grad
deg.
Durchlaßspannung, I
F
= 20 mA
Forward voltage
V
F
≤ 1.5 V
Strahlstärke
1)
, I
F
= 20 mA
Radiant intensity
I
e
≥ 0.4 mW/sr