Datasheet

2012-10-15 2
Version 1.0 BP 104 S, BP 104 SR
Maximum Ratings (T
A
= 25 °C)
Grenzwerte
Characteristics (T
A
= 25 °C)
Kennwerte
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
Operating and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
T
op
; T
stg
-40 ... 100 °C
Reverse voltage
Sperrspannung
V
R
20 V
Total power dissipation
Verlustleistung
P
tot
150 mW
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
Photocurrent
Fotostrom
(E
v
= 1000 lx, Std. Light A, V
R
= 5 V)
I
P
55 (≥ 40) µA
Wavelength of max. sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
λ
S max
850 nm
Spectral range of sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
λ
10%
400 ... 1100 nm
Radiant sensitive area
Bestrahlungsempfindliche Fläche
A4.84mm
2
Dimensions of radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
L x W 2.2 x 2.2 mm x
mm
Half angle
Halbwinkel
ϕ ± 60 °
Dark current
Dunkelstrom
(V
R
= 10 V)
I
R
2 (≤ 30) nA
Spectral sensitivity of the chip
Spektrale Fotoempfindlichkeit des Chips
(λ = 850 nm)
S
λ typ
0.62 A / W
Quantum yield of the chip
Quantenausbeute des Chips
(λ = 850 nm)
η 0.90 Electro
ns
/Photon