Datasheet

ManualsBrandsOsram Opto Semiconductors ManualsLEDsSMD LED 645nm PLCC-4 1.8cd 70mA

LS E65B, LA E65B, LY E65B

Power TOPLED with Lens

Enhanced optical Power LED (HOP2000)

Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant

Released

OS-PCN-2010-033-A

To be used for design-in

2010-07-07 1

Besondere Merkmale

• Gehäusetyp: weißes PLCC-4-Gehäuse,

farbloser klarer Verguss

• Besonderheit des Bauteils: fokussierte

Abstrahlung in SMT-Technologie; hohe

Helligkeit in Achsrichtung

• Wellenlänge: 633 nm (super-rot),

617 nm (amber), 587 nm (gelb)

• Abstrahlwinkel: 60°

• Technologie: InGaAlP

• optischer Wirkungsgrad: 24 lm/W (amber,

gelb), 18 lm/W (super-rot)

• Gruppierungsparameter: Lichtstärke,

Durchflussspannung, Wellenlänge

• Verarbeitungsmethode: für alle

SMT-Bestücktechniken geeignet

• Lötmethode: Reflow Löten und

Wellenlöten (TTW)

• Vorbehandlung: nach JEDEC Level 2

• Gurtung: 12-mm Gurt mit 2000/Rolle,

ø330 mm

• ESD-Festigkeit: ESD-sicher bis 2 kV nach

JESD22-A114-D

Anwendungen

• Ampelanwendung

• Hinterleuchtung (LCD, Schalter, Tasten,

Displays, Werbebeleuchtung)

• Innen- und Außenbeleuchtung im Auto-

mobilbereich (z.B. Instrumentenbeleuchtung,

Blinker, Bremslichter, seitl.

Begrenzungsleuchten)

• Ersatz von Kleinst-Glühlampen

• Markierungsbeleuchtung (z.B. Stufen,

Fluchtwege, u.ä.)

• Signal- und Symbolleuchten

Features

• package: white PLCC-4 package, colorless

clear resin

• feature of the device: focussed radiation in

SMT technology; high brightness in beam

direction

• wavelength: 633 nm (super-red),

617 nm (amber), 587 nm (yellow)

• viewing angle: 60°

• technology: InGaAlP

• optical efficiency: 24 lm/W (amber, yellow),

18 lm/W (super-red)

• grouping parameter: luminous intensity,

forward voltage, wavelength

• assembly methods: suitable for all

SMT assembly methods

• soldering methods: reflow soldering and

TTW soldering

• preconditioning: acc. to JEDEC Level 2

• taping: 12-mm tape with 2000/reel, ø330 mm

• ESD-withstand voltage: up to 2 kV acc. to

JESD22-A114-D

Applications

• traffic lights

• backlighting (LCD, switches, keys, displays,

illuminated advertising)

• interior and exterior automotive lighting

(e.g. dashboard backlighting, turn signal

lamps, brake lights, sidemarkers)

• substitution of micro incandescent lamps

• marker lights (e.g. steps, exit ways, etc.)

• signal and symbol luminaire

Summary of content (16 pages)

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Power TOPLED with Lens Enhanced optical Power LED (HOP2000) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LS E65B, LA E65B, LY E65B Released OS-PCN-2010-033-A To be used for design-in Besondere Merkmale • Gehäusetyp: weißes PLCC-4-Gehäuse, farbloser klarer Verguss • Besonderheit des Bauteils: fokussierte Abstrahlung in SMT-Technologie; hohe Helligkeit in Achsrichtung • Wellenlänge: 633 nm (super-rot), 617 nm (amber), 587 nm (gelb) • Abstrahlwinkel: 60° • Technologie: InGaAlP • optischer Wirkungsgrad: 24 lm/W (am
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LS E65B, LA E65B, LY E65B Bestellinformation Ordering Information Typ Emissionsfarbe Lichtstärke1) Seite 16 Lichtstrom2) Seite 16 Bestellnummer Type Color of Emission Luminous Intensity1) page 16 Luminous Flux2) page 16 IF = 50 mA IV (mcd) IF = 50 mA ΦV (mlm) Ordering Code LS E65B-V1AB-1-1 LS E65B-AABB-1-1 LS E65B-V1BB-1-1 super red 710 ... 1800 1120 ... 2800 710 ... 2800 1450 (typ.) 2400 (typ.) 2000 (typ.
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LS E65B, LA E65B, LY E65B Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebstemperatur Operating temperature range Top – 40 … + 100 °C Lagertemperatur Storage temperature range Tstg – 40 … + 100 °C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj + 125 °C Durchlassstrom Forward current (TA=25°C) IF 70 mA Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.
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LS E65B, LA E65B, LY E65B Kennwerte Characteristics (TA = 25 °C) Bezeichnung Parameter Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 50 mA Symbol Symbol (typ.) Dominantwellenlänge5) Seite 16 Dominant wavelength5) page 16 IF = 50 mA Werte Values Einheit Unit LS LA LY λpeak 645 624 594 nm λdom 633 617* 587* nm ±6 –5/+7 –7/+8 Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max Spectral bandwidth at 50 % Irel max IF = 50 mA (typ.
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LS E65B, LA E65B, LY E65B Wellenlängengruppen (Dominantwellenlänge)5) Seite 16 Wavelength Groups (Dominant Wavelength)5) page 16 Gruppe Group amber yellow Einheit Unit min. max. min. max. 2 612 616 580 583 nm 3 616 620 583 586 nm 4 620 624 586 589 nm 5 589 592 nm 6 592 595 nm Durchlassspannungsgruppen6) Seite 16 Forward Voltage Groups6) page 16 Gruppe Group super-rot super-red Einheit Unit min. max. 3 1.9 2.2 V 4 2.2 2.
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LS E65B, LA E65B, LY E65B Relative spektrale Emission2) Seite 16 Relative Spectral Emission2) page 16 V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit / Standard eye response curve Irel = f (λ); TA = 25 °C; IF = 50 mA OHL00585 100 Ιrel % 80 Vλ 60 yellow amber super-red 40 20 0 400 450 500 550 600 650 nm 700 λ 2) Seite 16 Abstrahlcharakteristik Radiation Characteristic2) page 16 Irel = f (ϕ); TA = 25 °C 40˚ 30˚ 20˚ 10˚ ϕ 0˚ OHL00732 1.0 50˚ 0.8 60˚ 0.6 70˚ 0.4 80˚ 0.
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LS E65B, LA E65B, LY E65B Durchlassstrom2) Seite 16 Forward Current2) page 16 IF = f (VF); TA = 25 °C Relative Lichtstärke2) 7) Seite 16 Relative Luminous Intensity2) 7) page 16 IV/IV(50 mA) = f (IF); TA = 25 °C OHL00595 10 1 OHL00590 10 2 IV mA IV (50 mA) IF 10 1 10 0 10 0 10 -1 10 -1 10 -2 1.3 1.5 1.7 1.9 2.1 10 -2 0 10 2.3 V 2.5 10 1 mA 10 2 IF VF Relative Lichtstärke2) Seite 16 Relative Luminous Intensity2) IV/IV(25 °C) = f (Tj); IF = 50 mA page 16 OHL00740 2.
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LS E65B, LA E65B, LY E65B Maximal zulässiger Durchlassstrom Max. Permissible Forward Current I F = f (T ) OHL01413 80 mA IF 70 60 TA TS 50 40 30 20 Τ A temp. ambient Τ S temp. solder point 10 0 0 20 40 60 80 ˚C 100 T Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible Pulse Handling Capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 °C Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible Pulse Handling Capability Duty cycle D = parameter, TA = 85 °C OHL01505 0.12 A IF A IF 0.1 0.08 0.005 0.
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LS E65B, LA E65B, LY E65B Maßzeichnung8) Seite 16 Package Outlines8) page 16 3.5 (0.138) max. 3.0 (0.118) 2.6 (0.102) 2.3 (0.091) 2.1 (0.083) 1.7 (0.067) 2.1 (0.083) 0.8 (0.031) 0.6 (0.024) C 1.1 (0.043) C Package marking 0.5 (0.020) ø2.60 (0.102) 3.7 (0.146) 3.3 (0.130) 3.4 (0.134) 3.0 (0.118) C 0.1 (0.004) typ Gewicht / Approx. weight: 0.18 (0.007) C 0.6 (0.024) 0.4 (0.016) C C 0.13 (0.
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LS E65B, LA E65B, LY E65B Empfohlenes Lötpaddesign verwendbar für TOPLED und Power TOPLED Reflow Löten8) Seite 16 Recommended Solder Pad useable for TOPLED and Power TOPLED Reflow Soldering8) page 16 Fläche darf elektrisch nicht beschaltet werden. Do not use this area for electrical contact. Padgeometrie für verbesserte Wärmeableitung 3.3 (0.130) Paddesign for improved heat dissipation 3.3 (0.130) Anode 2.3 (0.091) 11.1 (0.437) 1.5 (0.059) 1.1 (0.043) 3.7 (0.146) 0.8 (0.031) 0.7 (0.
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LS E65B, LA E65B, LY E65B Lötbedingungen Soldering Conditions Vorbehandlung nach JEDEC Level 2 Preconditioning acc. to JEDEC Level 2 Reflow Lötprofil für bleifreies Löten Reflow Soldering Profile for lead free soldering (nach J-STD-020D.01) (acc. to J-STD-020D.01) OHA04525 300 ˚C T 250 Tp 245 ˚C 240 ˚C tP 217 ˚C 200 tL 150 tS 100 50 25 ˚C 0 0 50 100 150 200 250 s 300 t Pb-Free (SnAgCu) Assembly Profile Feature Recommendation Max.
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LS E65B, LA E65B, LY E65B Wellenlöten (TTW) TTW Soldering (nach CECC 00802) (acc. to CECC 00802) OHLY0598 300 C T 10 s 250 Normalkurve standard curve 235 C ... 260 C Grenzkurven limit curves 2. Welle 2. wave 200 1. Welle 1. wave 150 ca 200 K/s 2 K/s 5 K/s 100 C ...
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LS E65B, LA E65B, LY E65B Barcode-Produkt-Etikett (BPL) Barcode-Product-Label (BPL) OSRAM Opto BIN1: XX-XX-X-XXX-X LX XXXX Semiconductors RoHS Compliant (6P) BATCH NO: 1234567890 ML Temp ST 2 260 °C R (1T) LOT NO: 1234567890 (9D) D/C: 1234 Pack: R18 DEMY 022 B_R999_1880.1642 R (X) PROD NO: 123456789(Q)QTY: 9999 (G) GROUP: XX-XX-X-X OHA04563 Gurtverpackung Tape and Reel W1 D0 P0 A N F W E 13.0 ±0.
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LS E65B, LA E65B, LY E65B Trockenverpackung und Materialien Dry Packing Process and Materials Moisture-sensitive label or print L VE el LE . see lab e H) nk, (R bla cod y If bar . dit RH mi % hu e ve /60 ed ag ˚C ati rar ck rel 30 _ inf pa < % to ak of 90 urs d ). < ns (pe or d , Ho urs de cte itio Ho urs an bje ing ˚C co 72 nd Ho urs 5 te ˚C su ss 48 e Ho co ± ce 24 6 da e y 40 be tim ˚C h l pro < tor tim e e or ). 23 tim at t wilnt l wit or fac ˚C Flo s tim at or ca at re.
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LS E65B, LA E65B, LY E65B Revision History: 2010-07-07 Previous Version: 2010-04-01 Page Subjects (major changes since last revision) Date of change 6 Radiation Characteristic diagram changed acc.
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LS E65B, LA E65B, LY E65B Fußnoten: 1) Helligkeitswerte werden mit einer Stromeinprägedauer von 25 ms und einer Genauigkeit von ± 11% ermittelt. 2) Wegen der besonderen Prozessbedingungen bei der Herstellung von LED können typische oder abgeleitete technische Parameter nur aufgrund statistischer Werte wiedergegeben werden.