Datasheet
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006
February, 2006 − Rev. 11
1 Publication Order Number:
MJE340/D
MJE340
Plastic Medium−Power
NPN Silicon Transistor
This device is useful for high−voltage general purpose applications.
Features
• Suitable for Transformerless, Line−Operated Equipment
• Thermopad Construction Provides High Power Dissipation Rating
for High Reliability
• Pb−Free Package is Available*
MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol Value Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector−Emitter Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
V
CEO
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
300
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter−Base Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
V
EB
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
3.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current − Continuous
ÎÎÎÎ
I
C
ÎÎÎÎ
500
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Power Dissipation @ T
C
= 25_C
Derate above 25_C
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
P
D
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
20
0.16
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
W
mW/_C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
T
J
, T
stg
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
–65 to +150
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
_C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic Symbol Max Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction−to−Case
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
q
JC
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
6.25
ÎÎÎ
ÎÎÎ
_C/W
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and
reliability may be affected.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
C
= 25°C unless otherwise noted)
Characteristic Symbol Min Max Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector−Emitter Sustaining Voltage
(I
C
= 1.0 mAdc, I
B
= 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
V
CEO(sus)
ÎÎ
ÎÎ
300
ÎÎÎ
ÎÎÎ
−
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(V
CB
= 300 Vdc, I
E
= 0)
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
I
CBO
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
−
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
100
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter Cutoff Current
(V
EB
= 3.0 Vdc, I
C
= 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
I
EBO
ÎÎ
ÎÎ
−
ÎÎÎ
ÎÎÎ
100
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain
(I
C
= 50 mAdc, V
CE
= 10 Vdc)
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
h
FE
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
30
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
240
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
−
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
Device Package Shipping
ORDERING INFORMATION
MJE340 TO−225 500 Units/Box
0.5 AMPERE
POWER TRANSISTOR
NPN SILICON
300 VOLTS, 20 WATTS
http://onsemi.com
MJE340G
TO−225
(Pb−Free)
500 Units/Box
TO−225
CASE 77
STYLE 1
2
1
3
MARKING DIAGRAM
YWW
JE340G
Y = Year
WW = Work Week
JE340 = Device Code
G = Pb−Free Package