Datasheet
NPN − MJ15022, MJ15024*
http://onsemi.com
2
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
C
= 25_C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Min
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector−Emitter Sustaining Voltage (Note 2)
(I
C
= 100 mAdc, I
B
= 0) MJ15022
MJ15024
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
V
CEO(sus)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
200
250
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
−
−
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
−
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(V
CE
= 200 Vdc, V
BE(off)
= 1.5 Vdc) MJ15022
(V
CE
= 250 Vdc, V
BE(off)
= 1.5 Vdc) MJ15024
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
I
CEX
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
−
−
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
250
250
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(V
CE
= 150 Vdc, I
B
= 0) MJ15022
(V
CE
= 200 vdc, I
B
= 0) MJ15024
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
I
CEO
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
−
−
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
500
500
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter Cutoff Current
(V
CE
= 5 Vdc, I
B
= 0)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
I
EBO
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
−
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
500
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Second Breakdown Collector Current with Base Forward Biased
(V
CE
= 50 Vdc, t = 0.5 s (non−repetitive))
(V
CE
= 80 Vdc, t = 0.5 s (non−repetitive))
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
I
S/b
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
5
2
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
−
−
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain
(I
C
= 8 Adc, V
CE
= 4 Vdc)
(I
C
= 16 Adc, V
CE
= 4 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
h
FE
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
15
5
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
60
−
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
−
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector−Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 8 Adc, I
B
= 0.8 Adc)
(I
C
= 16 Adc, I
B
= 3.2 Adc)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
V
CE(sat)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
−
−
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.4
4.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base−Emitter On Voltage
(I
C
= 8 Adc, V
CE
= 4 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
V
BE(on)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
−
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.2
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Current−Gain − Bandwidth Product
(I
C
= 1 Adc, V
CE
= 10 Vdc, f
test
= 1 MHz)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
f
T
ÎÎÎ
ÎÎÎ
4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
−
ÎÎÎ
ÎÎÎ
MHz
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Output Capacitance
(V
CB
= 10 Vdc, I
E
= 0, f
test
= 1 MHz)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
C
ob
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
−
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
500
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
pF
2. Pulse Test: Pulse Width = 300 ms, Duty Cycle v 2%.
100
Figure 1. Active−Region Safe Operating Area
V
CE
, COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
0.1 0.2 0.5 10 1 k
20
T
C
= 25°C
50 250
0.1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.2
1.0
5.0
50
500100
10
20
BONDING WIRE LIMITED
THERMAL LIMITATION
(SINGLE PULSE)
SECOND BREAKDOWN
LIMITED
There are two limitations on the powerhandling ability of
a transistor: average junction temperature and second
breakdown. Safe operating area curves indicate I
C
− V
CE
limits of the transistor that must be observed for reliable
operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate.
The data of Figure 1 is based on T
J(pk)
= 200_C; T
C
is
variable depending on conditions. At high case
temperatures, thermal limitations will reduce the power that
can be handled to values Ion than the limitations imposed by
second breakdown.