Datasheet
High-Current Complementary
Silicon Transistors
. . . for use as output devices in complementary general purpose
amplifier applications.
• High DC Current Gain —
h
FE
= 1000 (Min) @ I
C
– 20 Adc
• Monolithic Construction with Built–in Base Emitter Shunt
Resistor
• Junction Temperature to +200C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
MJ11012
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
MJ11015
MJ11016
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
V
CEO
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
60
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
120
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
V
CB
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
60
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
120
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
V
EB
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
I
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
30
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
I
B
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
1
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Device Dissipation @T
C
= 25C
Derate above 25C @ T
C
= 100C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
P
D
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
200
1.15
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Watts
W/C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating Storage Junction
Temperature Range
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
T
J
, T
stg
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
–55 to +200
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
R
θ
JC
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
0.87
ÎÎÎ
ÎÎÎ
C/W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum Lead Temperature for
Soldering Purposes for 10 Seconds.
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
T
L
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
275
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
C
Figure 1. Darlington Circuit Schematic
BASE
EMITTER
COLLECTOR
≈ 8.0 k ≈ 40
PNP
MJ11015
BASE
EMITTER
COLLECTOR
≈ 8.0 k ≈ 40
NPN
MJ11012
MJ11016
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
ON Semiconductor
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
May, 2001 – Rev. 4
1 Publication Order Number:
MJ11012/D
MJ11015
MJ11012
MJ11016
30 AMPERE
DARLINGTON
POWER TRANSISTORS
COMPLEMENTARY
SILICON
60–120 VOLTS
200 WATTS
*ON Semiconductor Preferred Device
PNP
NPN
*
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)