Operation Manual

.--.
j, {$'ilGí-
[Voorbeeld
6l
DE DIEPTE
VAN DE PN-
OVERGANG
IN
EEN
HALFG
ELEIDER
(Scheikundis)
Een
gelijkblijvende
hoeveelheid van verontreiniging die
aan de oppervlakte
van een halfgeleider vastzit
dringt de
halfgeleider
binnen.
De PN-overgang volgt
in de
diepte xn
.
[Exempel
6]
DJUP
FÓR
PN-ÓVERGÀNG I
HALVLEDARE
(Fvsik)
I-.n
konstant
fórorcnmgsmJngd
pa
ytin
ev cn
halvledare
diffunderar in i denna. PN-óvergang
biidas
vid djupet:<0.
C1/rDt
wanneer
varvid
o
'il,',1ï,ï'*".'1f;il1;,
= 16-10
"'zl;'"'
'
'
il,ï,ï,ï,ïï$,u
= 1.32 x
104
,sec'
o
:
concentratie van
de
verontreiniging
_ cnt.l r^^2
Fórorcningskonccntration
-
rv
/urrr
C :
accepteerconcentratie
=1O4lcmj
Accep
torkonr'entrstíon
Bereken
de xo
Beràkna
xo
Antwoord:
Sviu:
,o =zt/lv*
^t.sz^loo
10
l7
l112
lln
104
= 1.381 x
,i_pu
tT
1.32isd4Elg1otál
B
SaliEJS
ax
I ExPl 4
+l
iiExd
I 7
1-l
í=
I
rofr
JJ
;J5[e]z=l
*/""f0-rc"fSZ"fOa
10-2 cm
(Dt)
(JÍDt)
,o
C{rDt
(xo
)
29