Datasheet

RB751_SER_1 © NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 01 — 21 May 2007 4 of 10
NXP Semiconductors
RB751 series
Schottky barrier single diodes
(1) T
amb
= 125 °C
(2) T
amb
=85°C
(3) T
amb
=25°C
(4) T
amb
= −40 °C
(1) T
amb
= 125 °C
(2) T
amb
=85°C
(3) T
amb
=25°C
Fig 1. Forward current as a function of forward
voltage; typical values
Fig 2. Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values
f = 1 MHz; T
amb
=25°C
Fig 3. Diode capacitance as a function of reverse voltage; typical values
10
2
10
−1
10
−2
10
1
0
mlc361
0.6 0.80.40.2 1
V
F
(V)
I
F
(mA)
(1) (2) (3) (4)
10
3
10
2
10
−1
10
−2
10
1
0
mlc362
2010 4030
V
R
(V)
I
R
(µA)
(1)
(2)
(3)
01020 4030
5
0
4
mlc363
3
2
1
V
R
(V)
C
d
(pF)