Datasheet

PEMD3_PIMD3_PUMD3_10 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 10 — 15 November 2009 6 of 11
NXP Semiconductors
PEMD3; PIMD3; PUMD3
NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ
V
CE
= −5V
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −40 °C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −40 °C
Fig 5. TR2 (PNP): DC current gain as a function of
collector current; typical values
Fig 6. TR2 (PNP): Collector-emitter voltage as a
function of collector current; typical values
V
CE
= −0.3 V
(1) T
amb
= −40 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
V
CE
= −5V
(1) T
amb
= −40 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 7. TR2 (PNP): On-state input voltage as a
function of collector current; typical values
Fig 8. TR2 (PNP): Off-state input voltage as a
function of collector current; typical values
I
C
(mA)
−10
−1
−10
2
−10−1
006aaa046
−10
2
−10
−10
3
h
FE
−1
(1)
(2)
(3)
I
C
(mA)
−1 −10
2
−10
006aaa047
−10
−1
−1
V
CEsat
(V)
−10
−2
(1)
(2)
(3)
I
C
(mA)
−10
−1
−10
2
−10−1
006aaa048
−10
−1
−10
2
V
I(on)
(V)
−10
−1
(1)
(2)
(3)
006aaa049
I
C
(mA)
−10
−2
−10−1−10
−1
−1
−10
V
I(off)
(V)
−10
−1
(1)
(2)
(3)