Datasheet

PEMD3_PIMD3_PUMD3_10 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 10 — 15 November 2009 5 of 11
NXP Semiconductors
PEMD3; PIMD3; PUMD3
NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ
V
CE
=5V
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −40 °C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −40 °C
Fig 1. TR1 (NPN): DC current gain as a function of
collector current; typical values
Fig 2. TR1 (NPN): Collector-emitter voltage as a
function of collector current; typical values
V
CE
=0.3V
(1) T
amb
= −40 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
V
CE
=5V
(1) T
amb
= −40 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 3. TR1 (NPN): On-state input voltage as a
function of collector current; typical values
Fig 4. TR1 (NPN): Off-state input voltage as a
function of collector current; typical values
I
C
(mA)
10
−1
10
2
101
006aaa034
10
2
10
10
3
h
FE
1
(1)
(2)
(3)
I
C
(mA)
110
2
10
006aaa035
10
−1
1
V
CEsat
(V)
10
−2
(1)
(2)
(3)
006aaa036
I
C
(mA)
10
−1
10
2
101
1
10
V
I(on)
(V)
10
−1
(2)
(3)
(1)
006aaa037
I
C
(mA)
10
−2
10110
−1
1
10
V
I(off)
(V)
10
−1
(1)
(2)
(3)