Datasheet

2004 Jun 14 6
NXP Semiconductors Product data sheet
1 A very low V
F
MEGA Schottky
barrier rectifier
PMEGXX10BEA;
PMEGXX10BEV
30
V
R (V)
1050202515
I
R
(μA)
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
MHC677
(1)
(3)
(2)
Fig.7 Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values.
PMEG3010BEA/PMEG3010BEV
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 85 °C.
(3) T
amb
= 25 °C.
handbook, halfpage
0 5 10 20
V
R
(V)
120
100
0
40
20
80
60
15
C
d
(pF)
MHC678
Fig.8 Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
PMEG3010BEA/PMEG3010BEV
T
amb
= 25 °C; f = 1 MHz.
handbook, halfpage
0.6
V
F
(V)
0.4
I
F
(mA)
0.20
10
4
10
3
10
2
10
1
10
−1
MHC679
(1) (2) (3)
Fig.9 Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
PMEG4010BEA/PMEG4010BEV
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 85 °C.
(3) T
amb
= 25 °C.
handbook, halfpage
402010030
MHC680
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
V
R (V)
I
R
(μA)
(1)
(3)
(2)
Fig.10 Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values.
PMEG4010BEA/PMEG4010BEV
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 85 °C.
(3) T
amb
= 25 °C.