Datasheet

2004 Jun 14 5
NXP Semiconductors Product data sheet
1 A very low V
F
MEGA Schottky
barrier rectifier
PMEGXX10BEA;
PMEGXX10BEV
GRAPHICAL DATA
handbook, halfpage
0.6
V
F
(V)
0.4
I
F
(mA)
0.20
10
4
10
3
10
2
10
1
10
−1
MHC673
(1) (2) (3)
Fig.3 Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
PMEG2010BEA/PMEG2010BEV
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 85 °C.
(3) T
amb
= 25 °C.
handbook, halfpage
20105015
MHC674
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
V
R (V)
I
R
(μA)
(1)
(3)
(2)
Fig.4 Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values.
PMEG2010BEA/PMEG2010BEV
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 85 °C.
(3) T
amb
= 25 °C.
handbook, halfpage
0 5 10 20
V
R
(V)
120
140
100
0
40
20
80
60
15
C
d
(pF)
MHC675
Fig.5 Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
PMEG2010BEA/PMEG2010BEV
T
amb
= 25 °C; f = 1 MHz.
handbook, halfpage
0.6
V
F
(V)
0.4
I
F
(mA)
0.20
10
4
10
3
10
2
10
1
10
−1
MHC676
(1) (2) (3)
Fig.6 Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
PMEG3010BEA/PMEG3010BEV
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 85 °C.
(3) T
amb
= 25 °C.