Datasheet

PMEG3010EH_EJ_ET_4 © NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 04 — 20 March 2007 5 of 11
NXP Semiconductors
PMEG3010EH/EJ/ET
1 A very low V
F
MEGA Schottky barrier rectifiers
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
= 125 °C
(3) T
amb
=85°C
(4) T
amb
=25°C
(5) T
amb
= −40 °C
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
= 125 °C
(3) T
amb
=85°C
(4) T
amb
=25°C
(5) T
amb
= −40 °C
Fig 1. Forward current as a function of forward
voltage; typical values
Fig 2. Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values
f = 1 MHz; T
amb
=25°C
Fig 3. Diode capacitance as a function of reverse voltage; typical values
006aaa250
1
10
−1
10
2
10
10
3
I
F
(mA)
10
−2
V
F
(V)
0 0.50.40.2 0.30.1
(1) (2)
(3) (4) (5)
006aaa251
V
R
(V)
0302010
I
R
(µA)
1
10
−2
10
−1
10
4
10
3
10
2
10
10
5
10
−3
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
V
R
(V)
0302010
006aaa252
40
80
120
C
d
(pF)
0