Datasheet

2004 Feb 06 4
NXP Semiconductors Product data sheet
Low V
F
(MEGA) Schottky barrier diode
PMEG2010EA
GRAPHICAL DATA
handbook, halfpage
0.60.20 0.4
V
F
(V)
I
F
(mA)
10
3
10
2
10
1
10
−1
MHC311
(1) (2) (3)
Fig.2 Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
(1) T
amb
= 125 °C.
(2) T
amb
= 85 °C.
(3) T
amb
= 25 °C.
handbook, halfpage
250 51015
I
R
(μA)
20
V
R
(V)
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
MHC312
(1)
(2)
(3)
Fig.3 Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values.
(1) T
amb
= 125 °C.
(2) T
amb
= 85 °C.
(3) T
amb
= 25 °C.
handbook, halfpage
05
C
d
(pF)
10 20
80
60
20
0
40
15
V
R
(V)
MHC313
Fig.4 Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
T
amb
= 25 °C; f = 1 MHz.