Datasheet

2004 Jan 12 5
NXP Semiconductors Product data sheet
NPN switching transistor PMBT3904
handbook, halfpage
MGU823
V
BE
(mV)
400
200
600
1000
800
1200
I
C
(mA)
10
−1
11010
2
10
3
(1)
(2)
(3)
Fig.4 Base-emitter voltage as a function of
collector current.
V
CE
= 1 V.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 150 °C.
handbook, halfpage
MGU824
V
BEsat
(mV)
600
1000
400
200
800
1200
I
C
(mA)
10
−1
11010
2
10
3
(1)
(2)
(3)
Fig.5 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current.
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 150 °C.
handbook, halfpage
MGU825
10
3
V
CEsat
(mV)
10
2
10
I
C
(mA)
10
−1
11010
2
10
3
(1)
(2)
(3)
Fig.6 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current.
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.