Datasheet

PESD2CAN All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2012. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 2 — 27 September 2012 5 of 13
NXP Semiconductors
PESD2CAN
CAN bus ESD protection diode
f=1MHz
(1) T
amb
= 150 C
(2) T
amb
= 125 C
(3) T
amb
=85C
(4) T
amb
=25C
(5) T
amb
= 40 C
(1) T
amb
= 55 C
(2) T
amb
=25C
(3) T
amb
= 150 C
Fig 5. Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
Fig 6. Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values
T
amb
= 150 C
I
R
is less than 1 nA at 55 C and 25 C.
Fig 7. Reverse voltage as a function of reverse
leakage current; typical values
Fig 8. V-I characteristics for a bidirectional ESD
protection diode
006aaa938
V
R
(V)
024168
18
22
14
26
30
C
d
(pF)
10
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
V
R
(V)
24 343228 3026
006aaa939
20
30
10
40
50
I
R
(mA)
0
(1) (2) (3)
006aaa940
I
RM
(nA)
0302010
10
15
5
20
25
V
R
(V)
0
006aaa676
−V
CL
−V
BR
−V
RWM
V
CL
V
BR
V
RWM
−I
RM
I
RM
−I
R
I
R
−I
PP
I
PP
−
+