Datasheet

1999 Apr 16 4
Philips Semiconductors Product specification
NPN resistor-equipped transistor PDTC144ET
Fig.3 DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
=5V.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
=25°C.
(3) T
amb
= −40 °C.
handbook, halfpage
MGM928
10
−1
11010
2
I
C
(mA)
h
FE
10
3
10
10
2
1
(1)
(2)
(3)
Fig.4 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 100 °C.
(2) T
amb
=25°C.
(3) T
amb
= −40 °C.
handbook, halfpage
10
−1
MGM927
10
−2
V
CEsat
(V)
(2)
(3)
(1)
10
−1
11010
2
I
C
(mA)
Fig.5 Input-off voltage as a function of collector
current; typical values.
V
CE
=5V.
(1) T
amb
= −40 °C.
(2) T
amb
=25°C.
(3) T
amb
= 100 °C.
handbook, halfpage
10
(2)
(3)
(1)
1
10
−1
MGM930
10
−2
10
−1
110
I
C
(mA)
V
i(off)
(V)
Fig.6 Input-on voltage as a function of collector
current; typical values.
V
CE
= 0.3 V.
(1) T
amb
= −40 °C.
(2) T
amb
=25°C.
(3) T
amb
= 100 °C.
handbook, halfpage
10
2
1
10
10
−1
MGM929
10
−1
11010
2
I
C
(mA)
V
i(on)
(V)
(1) (2)
(3)