Datasheet

2003 Dec 22 7
NXP Semiconductors Product data sheet
100 V, 1 A
NPN low V
CEsat
(BISS) transistor
PBSS8110T
mle352
0
600
200
400
10
−1
110
I
C
(mA)
h
FE
10
2
10
3
10
4
(1)
(3)
(2)
Fig.5 DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
= 10 V.
(1) T
amb
= 100 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
MLE362
0
1.2
0.4
0.8
10
−1
110
I
C
(mA)
V
BE
(V)
10
2
10
3
10
4
(1)
(3)
(2)
Fig.6 Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
V
CE
= 10 V.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 100 °C.
handbook, halfpage
1
10
−1
11010
2
10
3
10
4
10
−2
10
−1
MLE366
I
C
(mA)
V
CEsat
(V)
(1)
(2)
(3)
Fig.7 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
= 100 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
1
10
−1
11010
2
10
3
10
4
10
−2
10
−1
MLE353
I
C
(mA)
V
CEsat
(V)
Fig.8 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
T
amb
= 25 °C.