Datasheet

2004 May 12 6
NXP Semiconductors Product data sheet
60 V, 1 A
NPN low V
CEsat
(BISS) transistor
PBSS4160T
handbook, halfpage
MLE135
1
10
−1
10
−2
10
−3
10
−1
110
I
C
(mA)
V
CEsat
(V)
10
2
10
3
10
4
(3)
(1)
(2)
Fig.6 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
= 100 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
1
11010
2
10
−1
10
3
10
4
10
−2
10
−1
MLE104
I
C
(mA)
V
CEsat
(V)
(1)
(3)
(2)
Fig.7 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 100 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
1
11010
2
10
3
10
4
10
−2
10
−1
10
−1
MLE129
I
C
(mA)
V
CEsat
(V)
(1)
(2)
Fig.8 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
T
amb
= 25 °C.
(1) I
C
/I
B
= 100.
(2) I
C
/I
B
= 50.
handbook, halfpage
MLE134
0
1.2
0.4
0.8
10
−1
110
I
C
(mA)
V
BEsat
(V)
10
2
10
3
10
4
(1)
(2)
(3)
Fig.9 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 100 °C.