Datasheet

2002 Feb 04 6
Philips Semiconductors Product specification
PNP general purpose transistors BC856; BC857; BC858
handbook, halfpage
0
400
600
800
1000
h
FE
200
MGT715
−10
−2
−10
−1
−1 −10 −10
2
−10
3
I
C
(mA)
(1)
(2)
(3)
Fig.6 DC current gain as a function of collector
current; typical values.
BC857B; V
CE
= −5V.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
=25°C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
0
−1200
−1000
−800
−600
−400
−200
MGT716
−10
−2
−10
−1
−1 −10 −10
2
−10
3
I
C
(mA)
V
BE
(mV)
(1)
(2)
(3)
Fig.7 Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
BC857B; V
CE
= −5V.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
=25°C.
(3) T
amb
= 150 °C.
handbook, halfpage
−10
4
−10
3
−10
2
−10
MGT717
−10
−1
−1 −10 −10
2
−10
3
I
C
(mA)
V
CEsat
(mV)
(1)
(2)
(3)
Fig.8 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
BC857B; I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
=25°C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
MGT718
−10
−1
−1 −10 −10
2
−10
3
I
C
(mA)
0
−1200
−1000
−800
−600
−400
−200
V
BEsat
(mV)
(1)
(2)
(3)
Fig.9 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
BC857B; I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
=25°C.
(3) T
amb
= 150 °C.