Datasheet
2004 Jan 16 7
NXP Semiconductors Product data sheet
PNP general purpose transistors BC856; BC857; BC858
handbook, halfpage
0
400
600
800
1000
h
FE
200
MGT719
− 10
−2
− 10
−1
− 1 − 10 − 10
2
− 10
3
I
C
(mA)
(1)
(2)
(3)
Fig.10 DC current gain as a function of collector
current; typical values.
BC857C; V
CE
= −5 V.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
0
− 1200
− 1000
− 800
− 600
− 400
− 200
MGT720
− 10
−1
− 1 − 10 − 10
2
− 10
3
I
C
(mA)
V
BE
(mV)
(1)
(2)
(3)
Fig.11 Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
BC857C; V
CE
= −5 V.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 150 °C.
handbook, halfpage
− 10
4
− 10
3
− 10
2
− 10
MGT721
− 10
−1
− 1 − 10 − 10
2
− 10
3
I
C
(mA)
V
CEsat
(mV)
(1)
(2)
(3)
Fig.12 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
BC857C; I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
MGT722
− 10
−1
− 1 − 10 − 10
2
− 10
3
I
C
(mA)
0
− 1200
− 1000
− 800
− 600
− 400
− 200
V
BEsat
(mV)
(1)
(2)
(3)
Fig.13 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
BC857C; I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 150 °C.