Datasheet
2004 Jan 16 6
NXP Semiconductors Product data sheet
PNP general purpose transistors BC856; BC857; BC858
handbook, halfpage
0
400
600
800
1000
h
FE
200
MGT715
− 10
−2
− 10
−1
− 1 − 10 − 10
2
− 10
3
I
C
(mA)
(1)
(2)
(3)
Fig.6 DC current gain as a function of collector
current; typical values.
BC857B; V
CE
= −5 V.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
0
− 1200
− 1000
− 800
− 600
− 400
− 200
MGT716
− 10
−2
− 10
−1
− 1 − 10 − 10
2
− 10
3
I
C
(mA)
V
BE
(mV)
(1)
(2)
(3)
Fig.7 Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
BC857B; V
CE
= −5 V.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 150 °C.
handbook, halfpage
− 10
4
− 10
3
− 10
2
− 10
MGT717
− 10
−1
− 1 − 10 − 10
2
− 10
3
I
C
(mA)
V
CEsat
(mV)
(1)
(2)
(3)
Fig.8 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
BC857B; I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
MGT718
− 10
−1
− 1 − 10 − 10
2
− 10
3
I
C
(mA)
0
− 1200
− 1000
− 800
− 600
− 400
− 200
V
BEsat
(mV)
(1)
(2)
(3)
Fig.9 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
BC857B; I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 150 °C.