Datasheet

2002 Feb 04 7
Philips Semiconductors Product specification
NPN general purpose transistors BC846; BC847; BC848
handbook, halfpage
MGT731
10
−1
11010
2
10
3
I
C
(mA)
0
1200
1000
800
600
400
200
h
FE
(1)
(2)
(3)
Fig.10 DC current gain as a function of collector
current; typical values.
BC847C; V
CE
=5V.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
=25°C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
0
1200
1000
800
600
400
200
MGT732
10
−2
10
−1
11010
2
10
3
I
C
(mA)
V
BE
(mV)
(1)
(2)
(3)
Fig.11 Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
BC847C; V
CE
=5V.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
=25°C.
(3) T
amb
= 150 °C.
handbook, halfpage
10
4
10
3
10
2
10
MGT733
10
−1
11010
2
10
3
I
C
(mA)
V
CEsat
(mV)
(1)
(2)(3)
Fig.12 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
BC847C; I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
=25°C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
MGT734
10
−1
11010
2
10
3
I
C
(mA)
0
1200
1000
800
600
400
200
V
BEsat
(mV)
(1)
(2)
(3)
Fig.13 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
BC847C; I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
=25°C.
(3) T
amb
= 150 °C.